【求助】二氧化硅的熔点和烧结温度
各位大虾，我看到一篇文献写纳米二氧化硅小球在900度下可以烧结，从而连成三维结构，我查了一下，气相二氧化硅的熔点是1700多度，它可以在这么低的温度下烧结吗？很是不解。
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熔点1750度，嗯
要是900度烧结的话，肯定不是常压条件了
熔点1710度左右，scifinder上检索到的
熔点和烧结温度不是一个概念.通常熔点不涉及粒度问题,但是当固体的颗粒比较小小时,熔点就会降低.SiO2 的烧结是指SiO2可以表面熔化,因此这个温度是考虑的表面效应的熔点.当SiO2的颗粒很小时,熔点变低.成型后烧结的温度也会变低.另外还有一种叫做前驱体烧结法的,首先生成一种纳米数量级的前驱体,加热时分解或者发生相转变,也会导致烧结温度降低.还有混合烧结,玻璃态材料烧结时连熔点都不涉及.
不知道有没有什么相关的文献或者书籍可以查找呢？不知道它的纳米颗粒达到怎样的程度才能在较低的温度下烧结
，
熔化、甚至表面熔化都不是实现烧结的前提条件。对于纳米颗粒，烧结可以通过颗粒间的扩散传质来实现。
支持3楼，是不是催化的作用？