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一般认为禁带宽度大于2eV的才称为宽禁带半导体，氮化硅不是
但是氮化硅的禁带到底多大呢？好像在哪见过是5eV，文献提到它比SiO2的帯隙还大。
氮化硅分为富硅氮化硅和富氮化硅，前者的带隙一般在2-3ev左右，而富氮化硅在4ev以上，纯氮化硅带隙是4.6ev。纯二氧化硅带系在8ev以上
谢谢你的帮助！
氮化钛是半导体材料！
氮化硅在微电子学中可作为高K介质；如半导体表面钝化等
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京公网安备 11010802022153号
一般认为禁带宽度大于2eV的才称为宽禁带半导体，氮化硅不是
但是氮化硅的禁带到底多大呢？好像在哪见过是5eV，文献提到它比SiO2的帯隙还大。
氮化硅分为富硅氮化硅和富氮化硅，前者的带隙一般在2-3ev左右，而富氮化硅在4ev以上，纯氮化硅带隙是4.6ev。纯二氧化硅带系在8ev以上
谢谢你的帮助！
氮化钛是半导体材料！
氮化硅在微电子学中可作为高K介质；如半导体表面钝化等
学习了
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