没人回答啊？这个不难。在POSCAR中第7行添加 Selective Dynamics 选项
然后为每一个原子位置后面添加具体的变化参数。T表示可变，F表示固定。这个设定在手册中的POSCAR环节有提到。

例如
  0.0000 0.0000 0.5000 F F T
即可表示x，y方向固定，z方向可变。

lz可以再看看手册。上面的说明更重要。

[ Last edited by wangle_xq on 2009-4-27 at 20:20 ]

谢谢你， 不过我想问的是如何选择性优化晶格常数，而不是选择性的优化原子的坐标。具体我想做这样一件事情：建立一个周期性的碳纳米管，这个管子是放在一个晶格常数为a*b*c的超单胞中，为了优化碳管在轴向的晶格常数，我希望固定a,b只优化c，我不知道在VASP中是如何实现的？

我没有做过碳管，冒然上来答题可能不太合适吧。呵呵。
我现在还不是很明白你的意思，可以讨论一下。

据我了解，如果要计算一个碳管，那么首先你需要建立一个含有真空层的超晶胞。通常这个真空层应该是处于x，y面。而z轴方向上应该就是周期性扩展的碳纳米管。是这样么？（如果这步都错了，那请忽略以下所说。不好意思）

如果是这样，那么LZ所说的a×b×c的超晶胞应该就是我上面讲的，a表示x轴方向的晶胞大小，b表示的是y轴的晶胞大小。在x，y轴包含真空层的前提下，我认为，这个a，b的大小没有实际的意义。原因是，VASP的计算是包括周期性边界条件的，这个条件不能去除。为了可以计算碳管，一般的处理原则是选择足够大的真空层，保证在周期性条件下，超晶胞内的碳管不会对晶胞外产生影响。所以，我觉得改变a，b的想法本身值得讨论。

另外，lz希望优化c，也就是z轴方向的大小这点还是比较容易理解的。据我所知VASP当中的确没有这方面的设定。INCAR中的ISIF参数和超晶胞设定相关，但是只是规定体积是否可变，原子是否可变等等，并不满足楼主要求。如果楼下有人知道如何计算，我也是很想知道的，

谢谢你的回帖，也很高兴能就这个问题给你讨论一下：
首先呢，你说的我都同意。
其次，我知道在VASP中，ISIF参数设定了结构优化的尺度（原子坐标，晶格体积，晶格形状），我想优化晶格参数，所以一般ISIF要取3（原子坐标，晶格体积，晶格形状都优化）。但是为了保证相邻的碳管之间没有相互作用，所以优化晶格形状和体积的时候我不希望a,b变化，我只希望优化c。
编一个脚本文件，设置几个c的值可以得到能量最低的结构，但是这种方法计算量大，每变一个c的值都要结构优化一次，所以我想问一下大家VASP中有没有什么特殊的设置。

似乎没有这种设置，不过基本上其他方向的变化并不是很大，但由于你优化的结构更加的接近于能量最低的那个结构，你每次优化的计算量应该减小很多才对。而且晶格常数可以在文献里面查到，基本上相同 势的情况下lx差不多的

有没有尝试计算过？如果设定ISIF=3，固定原子x，y坐标，计算一下试试看。在块体材料的条件下，a，b值肯定是不会变的——我采用的是Direct坐标。我相信，对于碳管，如此设定应该能得到lz预想相似的结果。如果Direct坐标不成，更改一下Cartesian坐标再试一次。

另外，如果a，b有变化，还应该验证一下真空层的大小，可能真空层不够大。退一步讲，如果真空层足够大，并且采用Cartesian坐标，就算a，b有变化对你的碳管也没有影响啊。

我的建议是，手动解决这个问题，也就是写一个脚本，把一定范围内的Z值算一遍做个曲线出来，最低点就找到了。
有点费事，不过据我所知就这一个办法了，期待高人能有更好的答案