紫外可见漫反射光谱可以通过公式转换为紫外可见吸收光谱，这个过程通常可以通过紫外可见光谱仪中的自动转换，对吸收光谱曲线求导(或切线)得出吸收边带的光波长数λ，根据公式
E=hc/λ,其中E为带隙宽度（注意单位为ev），h为普朗克常数，C为光速，已知上面得到的λ值，可得到E的值。

紫外可见吸收光谱和紫外可见漫反射光谱，前者是吸收光谱，可以通过压成薄片后直接用紫外可见光谱做透射光谱。后者是漫反射谱，直接测得是粉末的反射，可以通过公式转换成与吸收相关的漫反射吸收谱，这个功能很多机器都有。

紫外-可见光谱是探测半导体能带结构的最直接简便的方法,根据紫外-可见吸收边可以推算半导体的能带宽度。VO2（B）纳米线的本征吸收是间接跃迁过程,其本征吸收的吸收系数α与光子能量有如下关系:
α(hv)hv∝(hv-Eg)2
其中α(hv)为VO2（B）纳米线的吸光系数,由于其正比于吸光度A,为hv的函数,故而吸光度A亦可表示为A(hv)。如果用T表示透射率,它们的关系为:A=lg1/T,故[lg1/Thv]∝(hv-Eg)2,处理数据,换算单位,将[A(hv)hv]～hv直线延长至X轴,截距即是其禁带宽度Eg，

谢谢两位虫子！
有没有具体的单位换算什么的？或者是中文参考文献参考一下！谢哦

不错不错，学习一下

表面修饰对α—Fe2O3超微粒光谱特性的影响,刘成林,钟菊花等,光谱学与光谱分析,
2003年 23卷 1期
其实算法非常简单，注意单位就行