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【求助】半导体光学吸收系数与禁带宽度的关系

请教各位，对于半导体来说，可不可以这样表述：半导体的禁带宽度越大，其光学吸收系数越小；禁带宽度越小，其光学吸收系数越大。

[ Last edited by ddx-k on 2009-1-9 at 10:46 ] 返回小木虫查看更多

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ddx-k

貌似有点关系，但是觉的这样说不是太严谨，我看过有人认为吸收是ln（1/T），t是透射率（%）。
bluesky238

这个说法不对，光学吸收系数是跟波长有关的，直接带隙吸收系数正比与根号（hv-Eg)，间接带隙正比与（hv-Eg)3/2次方，在小于带隙对应的光波段中，吸收比较少，当然也有另外的吸收方式，总体来说吸收是跟折射率有关
04120152

首先，光子能量hv大于禁带宽度的光照到半导体表面被吸收，吸收几率与深度无关；
吸收系数与波长和材料种类有关。光子能量越大，吸收系数越强
haode22

引用回帖:
Originally posted by bluesky238 at 2009-1-9 11:10:
这个说法不对，光学吸收系数是跟波长有关的，直接带隙吸收系数正比与根号（hv-Eg)，间接带隙正比与（hv-Eg)3/2次方，在小于带隙对应的光波段中，吸收比较少，当然也有另外的吸收方式，总体来说吸收是跟折射率有关

允许的直接带隙吸收系数正比与根号（hv-Eg)，禁戒的直接带隙正比与（hv-Eg)3/2次方

参考《固体光谱学》方容川
，
dawnlight

lz概念不清呀
Zhang1978

这要看具体的材料，不能一概而论
anbb1009

恩，同意楼上的观点...