同意3楼的。
半导体的禁带宽度，从光学角度讲，只决定了激发它所需的能量大小，只要有高于或等于它的禁带宽度值的光能量激发，就可以产生光生电子和空穴；
但是涉及到光催化性能，还需要从动力学的角度去考虑，这时，半导体价带导带位置就决定了他的光催化性能大小，也就是说此时，价带和导带的氧化还原能力起了决定性做用。
因此，对于光催化来讲，需要考虑多个方面的因素，