【求助】激子与缺陷
请问激子发射与缺陷发射，如何区分？
这是从文献看到些指认，这种发射的归属是如何确定的？
是通过寿命？离带间跃迁的能量距离？还是什么？
急，望详细指教
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不会吧，顶一下
这些知识在固体理论中可能有吧
先了解一下激子和缺陷的概念！
确切的定义在书上（我没记住准确的说法，下次抄下来告诉您）！
激子发射与缺陷发射的本质区别在于能量传递过程，
寿命和能量差是能量传递过程的表象！
能量传递？
能量传递通常会使荧光衰减由单e指数衰减变为双/多e指数衰减，但是多数文献并没有存在这样的表述啊，另外，如果是能量传递，那么这种传递是从什么到什么的呢？谢谢
荧光衰减的单e指数衰减变或多e指数衰减，只是表象啊！
实质是发射的规模越来越小。
单e指数衰减，说明发射的能量传递通道是单一的或简并的！
多e指数衰减，则反映出多个量子通道！
[ Last edited by 孙?�730 on 2008-10-24 at 14:55 ]
比较简单的判断方法是通过能量，一般来说激子的束缚能比缺陷束缚能小，所以激子峰的位置，似乎更靠近禁带宽度对应的值。激子峰可以分为自由激子和束缚激子，其中束缚激子又分为施主束缚激子和受主束缚激子。
当然这只是大概的判断，如果想写到论文中，这种说法是不行的，通常要引用其它人的文献，对比一下看看，是否一致。
更严谨的办法是通过变温PL谱，计算峰强随温度的变化关系，好像有公式可以判断。
查到了标准定义！
激子：激发形成的电子-空穴对。
激子发射，是指电子-空穴对复合，以光子形式放出能量！
激子在晶体内只发生能量传递，不发生电荷移动!
也就是说，激子的电子-空穴对是成对运动的！
缺陷发射，则可能存在载流子的（多子/少子均可）移动，
发射是由缺陷中心附近的复合引起的！
[ Last edited by 孙?�730 on 2008-10-26 at 18:08 ]
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