掺杂取代位如何确定
在光催化裂解水制氢的过程中,最重要的是制得高效得催化剂。很多文献报道,半导体掺杂是一种有效的方法。在下想请教一个问题,掺杂取代的位置如何确定?譬如,对于A2B2O7型半导体氧化物,当进行金属离子掺杂时,如何知道金属离子M(n+)取代的是A位还是B位的原子。可以通过何种表征手段进行确定呢?有没有这方面的文献或书可以一下呢?还望有行家不吝赐教,先谢过了......
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在光催化裂解水制氢的过程中,最重要的是制得高效得催化剂。很多文献报道,半导体掺杂是一种有效的方法。在下想请教一个问题,掺杂取代的位置如何确定?譬如,对于A2B2O7型半导体氧化物,当进行金属离子掺杂时,如何知道金属离子M(n+)取代的是A位还是B位的原子。可以通过何种表征手段进行确定呢?有没有这方面的文献或书可以一下呢?还望有行家不吝赐教,先谢过了......
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通过x衍射应该可以吧
有条件做校正球差后的高分辨电子透镜,可以直接看的到缺陷,不过国内好像就一台这样的仪器,我们学校材料院老师直接外送样品分析的
一楼:如果掺杂量很小的话,XRD上可能没有变化,与不掺杂的样品峰型基本一致,即使有变化也不好说明取代的到底是哪个位置。
二楼:那个仪器不知道哪里有,即使有也应该很贵吧?我们课题组经费有限,把样品送国外根本不可能。不知道二楼还有没有更好的建议?
谢谢大家的帮助和支持。
这个问题似乎是无解的,XRD分析根本不能判断是A位取代还是B位取代。除非你能做出单晶,并且根据单晶衍射谱从头开始分析晶体结构。但是这个难度太大,首先掺杂的单晶就很难合成,其次分析晶体结构,特别是对称性差的无机材料,不是一般人可以做的。
我的理解是AB位取代主要是从理论方面分析的,如果你的材料是ABO3,要掺杂C元素,你是用ABO3-ACO3这样的体系的话,显然C是B位取代;反之,如果是ABO3-CBO3这样的体系,自然是A位取代。
但是这种简单的情况比较少见,其他情况的话,还是要根据离子半径、电负性的相似度,以及电荷平衡等角度进行判断,