CV扫描速率除了影响峰电流,峰形,峰电位负移外,对峰间距(氧化峰与还原峰的间距)还有什么影响吗。通过这些影响怎么半断反应的类型。 平时所说的峰间距是不是就是指的峰形啊,即峰形变宽或变窄。 返回小木虫查看更多
随着扫描速度增大,间距应该变大。
扫描速度增大,可逆反应向准可逆反应过渡,氧化还原峰之间的电势差会变大
谢谢,不是很详细,能说得更详细点吗
CV扫描速率变大,氧化还原反应变难,氧化还原峰之间的电势差变大 ;峰间距应该是氧化峰和还原峰带电位间距,不知道对不对,
通过峰值电流与扫描速度的二分之一次方作图,如果线性,说明是扩散控制的反应吧,得注意单位的统一。
扫描速度一般会影响氧化还原峰电位差,但也有例外。通过氧化还原峰电位差是否符合59.5/n(n指参加反应的电子数),符合则为可逆反应,当然氧化还原峰形也应该是对称或者基本对称。 峰间距应该是指的是峰宽,
峰间距一般是指氧化峰与还原峰的峰电位的差值,对于可逆反应,扫速的增加不会影响峰间距;对于准可逆反应,峰间距会随着扫速的增加而增加。
随着扫描速度增大,间距应该变大。
扫描速度增大,可逆反应向准可逆反应过渡,氧化还原峰之间的电势差会变大
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CV扫描速率变大,氧化还原反应变难,氧化还原峰之间的电势差变大 ;峰间距应该是氧化峰和还原峰带电位间距,不知道对不对,
通过峰值电流与扫描速度的二分之一次方作图,如果线性,说明是扩散控制的反应吧,得注意单位的统一。
扫描速度一般会影响氧化还原峰电位差,但也有例外。通过氧化还原峰电位差是否符合59.5/n(n指参加反应的电子数),符合则为可逆反应,当然氧化还原峰形也应该是对称或者基本对称。
峰间距应该是指的是峰宽,
峰间距一般是指氧化峰与还原峰的峰电位的差值,对于可逆反应,扫速的增加不会影响峰间距;对于准可逆反应,峰间距会随着扫速的增加而增加。