电阻，方块电阻，以及电导
小弟做的是透明导电薄膜，有两点很搞不清楚的是：
（1）同一块膜上，测出来的电阻跟方块电阻为什么差别很大呢（用的是同一个四探针仪器测的，测的都是正方形的膜），这个方块电阻跟电阻有什么区别呢？？？？？
（2）电导率跟电阻率是倒数关系，但发现文献上写的，像导电高分子导电透明膜之类的电导率，最好的也就10S/cm,如果以膜的厚度为1um来算的话，那方块电阻就要1000欧姆，当然这肯定是错误的，但小弟一直搞不清楚是怎么回事，请高手来解释下。
谢谢！！
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[ Last edited by 小小文盲 on 2007-8-19 at 11:04 ]
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京公网安备 11010802022153号
因为个人觉得，如果只是接触电阻的问题的话，电阻跟方块电阻不应该相差那么大的啊
[ Last edited by 小小文盲 on 2007-8-17 at 15:38 ]
材料性质决定电子输运性质，小尺寸，存在量子输运现象，隧穿效应，单模，多模，通道，相干等等. ，你做的薄膜均匀不，是否属于纳米，量子器件？我不是搞实验的，所以提点建议，多点思路，早期的量子环_观测AB效应－宽度就是1um左右。电导率跟电阻率是倒数关系，好像是经典的，能不能普遍适用，
谢谢答复啊，
其实我主要的还是想知道那个电阻跟方块电阻有什么样的区别，除了消除接触电阻的影响外。因为对于做薄膜的来说，这是最基本的概念了吧。
电阻跟方块电阻有什么样的区别?
RE: 通常说的电阻与方块电阻之间的关系是：通常说的电阻=方块电阻/膜厚。
如果一个均匀导体，长为L，宽为W，厚度为d，则薄层电阻（即方块电阻）R＝（p/d）×L/W，p代表电阻率。比例系数（p/d）就叫方块电阻，用R口表示。即R口＝p/d， R＝R口×（L/W）。当L＝W时，有R＝R口， 此时R口表示一个正方形薄层的电阻，与边长无关，故取名薄层电阻。
修正一下，上面的最后是：“故取名方块电阻”
这些定义，我都知道，但我就是不清楚为什么测出来的方块电阻数据会相差这么大
[ Last edited by 小小文盲 on 2007-8-19 at 11:05 ]