[求助] EIS测试数据拟合，求助哇~~~ 已有1人参与

本人电化学门外女汉，依葫芦画瓢学了一点阻抗的基本知识，完全不够用啊！！！水太深了！！！ 说正经事： 我是研究薄膜抗腐蚀性的，测了极化曲线，请电化学方面的老师帮忙指导，说是让我补充EIS，我就做了，数据处理上有一些困难需要大家帮助. 1. 设备CHI660E，0.01-100000，±10mV 2. 薄膜是原位生长，导电，与基体冶金结合 3. 我的Nyquist图上在低频区出现了感抗弧（也是看了很多虫友回答的结果），但是我的等效电路里没有加上这个感抗（主要是我不会加啊），所以在拟合的时候Nyquist图不太符合，我看了一些虫友的回答说Error%都小于10%即可，但我也被告知，左上角那个Chi-squared（请告诉我这是什么？是总误差值吗？）要到0.001-0.009这个数量级。所以图1的结果是不符合了（Chi-squared：0.015）。也有人建议先把感抗弧那段去除（很多虫友表示去数据不科学哇）再拟合，我照做了，拟合后见图2，那个Chi-squared果然降低了到了0.003，各个Error%也都小于10%。 那么我的问题来了： 1. 我的等效电路是否合适？是否需要加上感抗以及如何加呢？ 2. 关于拟合结果，以什么标准算好呢？比如我上面所说的是 Error%都小于10% 还是 Chi-squared 0.001-0.009？或者是其他标准。 3. 这两个拟合结果哪个更可取？是选择较高误差还是删数据，还是都很挫？如果都很差，我应该怎么呀 4. EIS和极化曲线，哪个结果更可靠？还是相辅相成的？如果不统一看哪个？ 毕业临时抱佛脚啊，如果回答的很好，一定多加金币！！！多谢了先！ 1.jpg 2.jpg

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金属电化学腐蚀

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