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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 交流探讨 » 关于去除硅片氧化层
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raaishenghuo

铁杆木虫 (小有名气)

[交流] 关于去除硅片氧化层 已有2人参与

3：1的H2SO4/H2O2 叫做piranha溶液，强氧化性。 硅片经此溶液处理后反而会形成氧化层，厚度可以用ellipsomertry测量，大概在0.8nm。含HF的试剂可以去除氧化层，但是同时也腐蚀硅片，增加表面粗糙度。建议用还原性气体plasma处理硅片去除氧化层，例如氢气。
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fighting!
1楼 2014-07-07 06:01:29
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raaishenghuo

铁杆木虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by peterflyer at 2014-07-07 07:16:49
用氢气去氧化层的原理是什么，是将氧化硅还原吗？那么这样也会将表面弄得到处空洞、严重粗糙化的吧？

是一种还原作用。用plasma处理硅表面的有很多，不会增加表面粗糙度。
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fighting!
3楼2014-07-08 08:55:32
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer
★
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用氢气去氧化层的原理是什么，是将氧化硅还原吗？那么这样也会将表面弄得到处空洞、严重粗糙化的吧？

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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2楼2014-07-07 07:16:49
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
3楼: Originally posted by raaishenghuo at 2014-07-08 08:55:32
是一种还原作用。用plasma处理硅表面的有很多，不会增加表面粗糙度。...

用plasma处理硅表面应该是用氢的等离子体去还原和清理硅的表面吧。高温下的氢等离子体应该是具有极强的还原能力吧。
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4楼2014-07-08 10:10:05
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