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[求助]
硅片氧化层击穿测试求助
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硅片上有大约200nm的氧化层，想测量其击穿电压，本人小白，需要详细求助以下问题 1使用什么设备？我实验室有电化学工作站和直流电源0-20V是否可行？ 2电极制作在什么位置，是在氧化层上制作两个电极还是氧化层上面和的硅片背面各制作一个电极？ 3大概多少V的电压会出现击穿？电流大约是什么量级，我实验室最大可测量的电流为2A 谢谢 |
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