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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 硅片氧化层击穿测试求助
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hoddescle

木虫 (小有名气)

老和部队

[求助] 硅片氧化层击穿测试求助

硅片上有大约200nm的氧化层，想测量其击穿电压，本人小白，需要详细求助以下问题
1使用什么设备？我实验室有电化学工作站和直流电源0-20V是否可行？
2电极制作在什么位置，是在氧化层上制作两个电极还是氧化层上面和的硅片背面各制作一个电极？
3大概多少V的电压会出现击穿？电流大约是什么量级，我实验室最大可测量的电流为2A
谢谢
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忠贤随明主，奸佞觅昏君
1楼 2013-08-07 18:26:57
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by hoddescle at 2013-08-07 20:12:19
按照您的说话是不是可以这样估算？
200nm*10MV/cm=20V...

你再算算看。
说回复不能简单，就不替你算了。
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4楼2013-08-07 20:48:57
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
20V铁定击不穿。
氧化硅层的击穿场强是5～10MV/cm。你这个要百伏以上吧。
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2楼2013-08-07 19:05:36
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hoddescle

木虫 (小有名气)

老和部队
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2013-08-07 19:05:36
20V铁定击不穿。
氧化硅层的击穿场强是5～10MV/cm。你这个要百伏以上吧。

按照您的说话是不是可以这样估算？
200nm*10MV/cm=20V
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忠贤随明主，奸佞觅昏君
3楼2013-08-07 20:12:19
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