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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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dearmaximus

金虫 (正式写手)

迷途小书童/二手科学家

[求助] 关于光刻剥离的难题

在SiO2/Si片匀胶光刻后钨舟热蒸发100nm铝膜，剥离过程中发现图形部分的金属膜无法剥离，请高手指点迷津！丙酮加热和常温浸泡3天仍无法剥离。是什么原因导致的？匀胶过程：800转/分for12秒，3000转/分for30秒，前烘80度for10分钟，后烘85度for10分钟，光刻胶是BP212正胶。
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1楼 2012-05-16 15:52:16
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tkhk

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
dearmaximus: 金币+1, ★★★★★最佳答案 2012-05-21 09:45:33
lchpy: 金币+1, thanks for your information~ 2012-05-31 20:56:46
光刻剥离一般用负胶
楼主可以去半导体技术天地问问，那里更专业
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2楼2012-05-17 18:46:52
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haerbin06

铜虫 (小有名气)
刻蚀掉不可以吗,,湿刻蚀
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我很好
3楼2012-05-31 20:19:40
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dearmaximus

金虫 (正式写手)

迷途小书童/二手科学家
引用回帖:
3楼: Originally posted by haerbin06 at 2012-05-31 20:19:40
刻蚀掉不可以吗,,湿刻蚀

现在知道了，正胶做不出倒梯形，而且热蒸发金属的粘附力不够，无法超声剥离。
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4楼2012-06-01 12:03:49
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haerbin06

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by dearmaximus at 2012-06-01 12:03:49
现在知道了，正胶做不出倒梯形，而且热蒸发金属的粘附力不够，无法超声剥离。...

倒梯形,要用负娇,而且要厚点的,如su8,看你的线宽要求了........超声肯定不会完全脱落的,,,,粘附力取决于你的基地的表面性质,,建议蒸镀之前用descum
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我很好
5楼2012-06-01 12:33:44
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seameetland

铁虫 (初入文坛)
也可以将正胶反转用，如AZ系列的5214胶型，做出的倒梯形也很漂亮
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6楼2012-06-17 14:43:08
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anothershot

铁虫 (初入文坛)
正胶lift-off可以在曝光后氯苯浸泡处理。形成边缘突出的侧壁，我试过这个工艺。
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To be a rock and not to roll
7楼2012-09-05 12:24:44
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dearmaximus

金虫 (正式写手)

迷途小书童/二手科学家
引用回帖:
7楼: Originally posted by anothershot at 2012-09-05 12:24:44
正胶lift-off可以在曝光后氯苯浸泡处理。形成边缘突出的侧壁，我试过这个工艺。

半导体技术天地也有人这么做的
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8楼2013-09-24 17:45:37
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