| 查看: 1248 | 回复: 7 | ||
[求助]
关于耐高温SiC芯片在AlN基座上粘结固定的问题 已有2人参与
|
|
请问,怎么实现SiC芯片在AlN基座上的粘结固定?用玻璃粘结的话,因为芯片工作温度可达1200 C,玻璃粘结也不可靠,有没有 什么粘结固定方案?或者我应该从哪里着手解决这个问题? |
» 猜你喜欢
投稿求助,期刊
已经有4人回复
评审有感
已经有26人回复
提交了我也来说说感想
已经有8人回复
今年审到国自然15份,谈谈感受
已经有22人回复
Sci. Bull. 悲剧经验
已经有8人回复
河北省自然科学基金
已经有4人回复
投MDPI的三个期刊都被桌拒
已经有4人回复
献血感触
已经有12人回复
云南大学材料与能源学院解琳课题组钙钛矿博士招生
已经有6人回复
反应很差,大量原料没有反应
已经有8人回复
guoj5292
铁杆木虫 (著名写手)
- 应助: 7 (幼儿园)
- 贵宾: 2.067
- 金币: 6776.5
- 散金: 509
- 红花: 8
- 帖子: 2124
- 在线: 287小时
- 虫号: 564570
- 注册: 2008-05-27
- 专业: 无机非金属类光电信息与功

2楼2016-03-08 19:57:22
3楼2016-03-08 21:07:30
4楼2016-03-08 21:15:38
igzotft
木虫 (著名写手)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 2684.4
- 帖子: 2117
- 在线: 891.5小时
- 虫号: 1908992
- 注册: 2012-07-24
- 专业: 碳素材料与超硬材料
|
1. 1st step---metallization on AlN ceramic substrate. You can have Cu sheets or plates dir bonded on AlN susbstra by DBC (direct bond copper) or AMB(active metal brazing) process. 2. 2nd step----SiC chip bonded on the metallized AlN substrate. SiC chip is able to joined on the Cu sheet through wire bonding or soldering process with active-metal containing filler material. . |

5楼2016-03-10 17:15:18
igzotft
木虫 (著名写手)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 2684.4
- 帖子: 2117
- 在线: 891.5小时
- 虫号: 1908992
- 注册: 2012-07-24
- 专业: 碳素材料与超硬材料
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
yinianyici: 金币+5, ★★★很有帮助, Does this method satisfy the high temperature(1200 C) condition? 2016-03-11 16:39:31
感谢参与,应助指数 +1
yinianyici: 金币+5, ★★★很有帮助, Does this method satisfy the high temperature(1200 C) condition? 2016-03-11 16:39:31
|
1. 1st step--Bonding copper sheet or sheet with AlN ceramic substrate by DBC or AMB process. 2. 2nd step--Bonding SiC chip with Cu metallizated AlN susbstrate through soldering or wire bonding process. |

6楼2016-03-10 17:25:08
感谢参与,应助指数 +1
|
本帖内容被屏蔽 |
7楼2016-03-11 09:35:21
8楼2016-03-11 16:55:30












回复此楼

5