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yinianyici

新虫 (初入文坛)

[求助] 关于耐高温SiC芯片在AlN基座上粘结固定的问题 已有2人参与

请问,怎么实现SiC芯片在AlN基座上的粘结固定?用玻璃粘结的话,因为芯片工作温度可达1200 C,玻璃粘结也不可靠,有没有
什么粘结固定方案?或者我应该从哪里着手解决这个问题?
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guoj5292

铁杆木虫 (著名写手)

不知道采取基板金属化工艺,然后采取焊接方式可行吗
Don’twaittobelonelytorecognizethevalueofafriend..youshouldactivate.
2楼2016-03-08 19:57:22
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yinianyici

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by guoj5292 at 2016-03-08 19:57:22
不知道采取基板金属化工艺,然后采取焊接方式可行吗

有道理,另外有没有人可以做这一个。
3楼2016-03-08 21:07:30
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yinianyici

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by guoj5292 at 2016-03-08 19:57:22
不知道采取基板金属化工艺,然后采取焊接方式可行吗

你说的有道理。但是AlN与SiC都是陶瓷,就算把AlN金属化了,也不能焊接吧。不知道把SiC芯片也金属化可行不。另外你发的不是应助贴,我无法给你金币。
4楼2016-03-08 21:15:38
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igzotft

木虫 (著名写手)

1. 1st step---metallization on AlN ceramic substrate.
    You can have Cu sheets or plates dir bonded on AlN susbstra by
    DBC (direct bond copper) or AMB(active metal brazing) process.
2. 2nd step----SiC chip bonded on the metallized AlN substrate.
    SiC chip is able to joined on the Cu sheet through wire  
    bonding or soldering  process with active-metal containing   
    filler material.  .
Nosbig
5楼2016-03-10 17:15:18
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igzotft

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
yinianyici: 金币+5, ★★★很有帮助, Does this method satisfy the high temperature(1200 C) condition? 2016-03-11 16:39:31
1. 1st step--Bonding copper sheet or sheet  with AlN ceramic substrate by DBC or AMB process.
2. 2nd step--Bonding SiC chip with Cu metallizated AlN susbstrate through soldering or wire bonding process.
Nosbig
6楼2016-03-10 17:25:08
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上海依阳

禁虫 (著名写手)

感谢参与,应助指数 +1
本帖内容被屏蔽

7楼2016-03-11 09:35:21
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yinianyici

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
6楼: Originally posted by igzotft at 2016-03-10 17:25:08
1. 1st step--Bonding copper sheet or sheet  with AlN ceramic substrate by DBC or AMB process.
2. 2nd step--Bonding SiC chip with Cu metallizated AlN susbstrate through soldering or wire bonding proc ...

据我所知,铜的熔点是1083度左右,达不到1200摄氏度的要求
8楼2016-03-11 16:55:30
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