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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 关于剥离（lift-off）二氧化硅的问题
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ycyzrenlifei

金虫 (小有名气)

南理汉子

[求助] 关于剥离（lift-off）二氧化硅的问题 已有5人参与

剥离金属很容易，但是每次用同样的工艺剥离二氧化硅的时候极其困难！

而且发现光刻胶似乎完全没有剥离的痕迹，求教大神~~

剥离用的丙酮
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1楼 2015-05-26 17:18:44
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

苏州研究所

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

楼主氧化硅是什么设备生长的，温度是多少；
氧化硅厚度多少，光刻胶厚度多少。
      我之前剥离过icp做的氧化硅，环形的结构也很好剥离，实在不行改成刻蚀也是比较
好的方案。
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13楼2016-09-07 11:40:13
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普通回帖

美图半导体

捐助贵宾 (初入文坛)

【答案】应助回帖

商家已经主动声明此回帖可能含有宣传内容
感谢参与，应助指数 +1
你是用什么设备沉积的二氧化硅，是不是高温影响光刻胶，可以尝试低温ICP沉积二氧化硅。
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2楼2015-05-26 17:28:59
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vincentwz

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
除了楼上说的沉积时高温的影响，楼主可以试试多泡一段时间，比如24小时，然后用棉签或者水粉笔刷

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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3楼2015-05-26 19:44:16
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ycyzrenlifei

金虫 (小有名气)

南理汉子
引用回帖:
3楼: Originally posted by vincentwz at 2015-05-26 19:44:16
除了楼上说的沉积时高温的影响，楼主可以试试多泡一段时间，比如24小时，然后用棉签或者水粉笔刷

泡这么长时间？ 棉签肯定是不能刷，把金属都刷没了
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4楼2015-05-26 21:06:32
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vincentwz

铁杆木虫 (著名写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by ycyzrenlifei at 2015-05-26 21:06:32
泡这么长时间？ 棉签肯定是不能刷，把金属都刷没了...

是的，什么金属？如果硬度比较高的话是没有问题的
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5楼2015-05-26 21:46:41
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ycyzrenlifei

金虫 (小有名气)

南理汉子
引用回帖:
5楼: Originally posted by vincentwz at 2015-05-26 21:46:41
是的，什么金属？如果硬度比较高的话是没有问题的...

铜和康铜，我试过用棉棒擦，破坏了
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6楼2015-05-28 10:45:35
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ycyzrenlifei

金虫 (小有名气)

南理汉子
引用回帖:
2楼: Originally posted by 美图半导体 at 2015-05-26 17:28:59
你是用什么设备沉积的二氧化硅，是不是高温影响光刻胶，可以尝试低温ICP沉积二氧化硅。

什么是低温ICP？
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7楼2015-05-28 10:51:08
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
显然在剥离的时候光刻胶化掉了，氧化硅覆盖整个光刻胶斜坡。
在金属上做氧化硅的lift off，还不如反过来做刻蚀。否则你就需要很厚的耐高温光刻胶，同时要把沉积SiO的温度降低到150度以下。
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8楼2015-05-28 12:46:14
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ycyzrenlifei

金虫 (小有名气)

南理汉子
引用回帖:
8楼: Originally posted by yswyx at 2015-05-28 12:46:14
显然在剥离的时候光刻胶化掉了，氧化硅覆盖整个光刻胶斜坡。
在金属上做氧化硅的lift off，还不如反过来做刻蚀。否则你就需要很厚的耐高温光刻胶，同时要把沉积SiO的温度降低到150度以下。

反过来怎么弄？我是要在金属线上的部分区域覆盖上二氧化硅，金属在下，二氧化硅在上。
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9楼2015-05-28 19:13:49
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joy_zheng

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

引用回帖:
9楼: Originally posted by ycyzrenlifei at 2015-05-28 19:13:49
反过来怎么弄？我是要在金属线上的部分区域覆盖上二氧化硅，金属在下，二氧化硅在上。...

剥离的话是先涂胶再长二氧化硅，刻蚀的话就是先长二氧化硅然后再光刻显影，不需要二氧化硅的部分暴露，然后用RIE刻蚀掉。注意在RIE过程中光刻胶也会被刻蚀，需要稍微厚点的胶，在二氧化硅刻干净后还有一定的光刻胶存留。
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10楼2015-05-29 17:25:02
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