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关于剥离(lift-off)二氧化硅的问题
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ycyzrenlifei
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]
关于剥离(lift-off)二氧化硅的问题
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剥离金属很容易,但是每次用同样的工艺剥离二氧化硅的时候极其困难!
而且发现光刻胶似乎完全没有剥离的痕迹,求教大神~~
剥离用的丙酮
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2015-05-26 17:18:44
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8楼
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Originally posted by
yswyx
at 2015-05-28 12:46:14
显然在剥离的时候光刻胶化掉了,氧化硅覆盖整个光刻胶斜坡。
在金属上做氧化硅的lift off,还不如反过来做刻蚀。否则你就需要很厚的耐高温光刻胶,同时要把沉积SiO的温度降低到150度以下。
反过来怎么弄?我是要在金属线上的部分区域覆盖上二氧化硅,金属在下,二氧化硅在上。
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9楼
2015-05-28 19:13:49
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你是用什么设备沉积的二氧化硅,是不是高温影响光刻胶,可以尝试低温ICP沉积二氧化硅。
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2楼
2015-05-26 17:28:59
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vincentwz
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除了楼上说的沉积时高温的影响,楼主可以试试多泡一段时间,比如24小时,然后用棉签或者水粉笔刷
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3楼
2015-05-26 19:44:16
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3楼
:
Originally posted by
vincentwz
at 2015-05-26 19:44:16
除了楼上说的沉积时高温的影响,楼主可以试试多泡一段时间,比如24小时,然后用棉签或者水粉笔刷
泡这么长时间? 棉签肯定是不能刷,把金属都刷没了
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4楼
2015-05-26 21:06:32
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