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ycyzrenlifei

金虫 (小有名气)

南理汉子

[求助] 关于剥离(lift-off)二氧化硅的问题 已有5人参与

剥离金属很容易,但是每次用同样的工艺剥离二氧化硅的时候极其困难!

而且发现光刻胶似乎完全没有剥离的痕迹,求教大神~~

剥离用的丙酮
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ycyzrenlifei

金虫 (小有名气)

南理汉子

引用回帖:
8楼: Originally posted by yswyx at 2015-05-28 12:46:14
显然在剥离的时候光刻胶化掉了,氧化硅覆盖整个光刻胶斜坡。
在金属上做氧化硅的lift off,还不如反过来做刻蚀。否则你就需要很厚的耐高温光刻胶,同时要把沉积SiO的温度降低到150度以下。

反过来怎么弄?我是要在金属线上的部分区域覆盖上二氧化硅,金属在下,二氧化硅在上。
9楼2015-05-28 19:13:49
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美图半导体

捐助贵宾 (初入文坛)


【答案】应助回帖

商家已经主动声明此回帖可能含有宣传内容
感谢参与,应助指数 +1
你是用什么设备沉积的二氧化硅,是不是高温影响光刻胶,可以尝试低温ICP沉积二氧化硅。
2楼2015-05-26 17:28:59
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vincentwz

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
除了楼上说的沉积时高温的影响,楼主可以试试多泡一段时间,比如24小时,然后用棉签或者水粉笔刷

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
3楼2015-05-26 19:44:16
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ycyzrenlifei

金虫 (小有名气)

南理汉子

引用回帖:
3楼: Originally posted by vincentwz at 2015-05-26 19:44:16
除了楼上说的沉积时高温的影响,楼主可以试试多泡一段时间,比如24小时,然后用棉签或者水粉笔刷

泡这么长时间? 棉签肯定是不能刷,把金属都刷没了
4楼2015-05-26 21:06:32
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