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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 关于剥离（lift-off）二氧化硅的问题
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ycyzrenlifei

金虫 (小有名气)

南理汉子

[求助] 关于剥离（lift-off）二氧化硅的问题 已有5人参与

剥离金属很容易，但是每次用同样的工艺剥离二氧化硅的时候极其困难！

而且发现光刻胶似乎完全没有剥离的痕迹，求教大神~~

剥离用的丙酮
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1楼 2015-05-26 17:18:44
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ycyzrenlifei

金虫 (小有名气)

南理汉子
引用回帖:
2楼: Originally posted by 美图半导体 at 2015-05-26 17:28:59
你是用什么设备沉积的二氧化硅，是不是高温影响光刻胶，可以尝试低温ICP沉积二氧化硅。

什么是低温ICP？
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7楼2015-05-28 10:51:08
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美图半导体

捐助贵宾 (初入文坛)

【答案】应助回帖

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感谢参与，应助指数 +1
你是用什么设备沉积的二氧化硅，是不是高温影响光刻胶，可以尝试低温ICP沉积二氧化硅。
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2楼2015-05-26 17:28:59
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vincentwz

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
除了楼上说的沉积时高温的影响，楼主可以试试多泡一段时间，比如24小时，然后用棉签或者水粉笔刷

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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3楼2015-05-26 19:44:16
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ycyzrenlifei

金虫 (小有名气)

南理汉子
引用回帖:
3楼: Originally posted by vincentwz at 2015-05-26 19:44:16
除了楼上说的沉积时高温的影响，楼主可以试试多泡一段时间，比如24小时，然后用棉签或者水粉笔刷

泡这么长时间？ 棉签肯定是不能刷，把金属都刷没了
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4楼2015-05-26 21:06:32
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