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[交流] 硅片表面氧化层的制作工艺

在半导体领域制备器件的时候基本都是以硅片作为基底,在硅片表面有一层厚度从几纳米到几百纳米不等的氧化层,但是,有时候氧化层致密度不是很好,常常在测试过程中会有漏电情况产生。所以,在这里想请问一下,一般实验室使用的SiO2/Si基底的氧化层是如何制备的?具体流程是什么样的?如果过程介绍起来比较复杂的话可以推荐相关的资料也可以,多谢各位前辈前来讨论指导!
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