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我的一篇理论计算的文章，计算的是Ta3N5这种半导体材料，用的是GGA+U来算的。最近审稿意见回来了。审稿意见只有一段话，由于我的水平有限，读了数遍勉强理解其中的意思，我的理解是：“该审稿人认为我对Ta3N5这种材料使用GGA+U是不合适的。因为GGA+U只适用于价带和导带由相同的原子轨道组成的材料。” 但是，我看其他一些材料，例如非常经典的TiO2，也有非常多的人用+U去计算。TiO2的价带主要由O2p组成，而导带主要由Ti3d组成。我计算的Ta3N5的价带和导带分别主要由N2p和Ta5d组成。所以，我不理解审稿人的意见到底是什么意思。下面给出审稿人的意义原文，想请各位给我分析分析。 由于我的金币不多，全部家当才5.5个金币，所以比较寒碜。暂时贡献5.5个金币，等我有了更多的金币一定再贡献出来。谢谢。 This study used GGA+U to fix the band gap problem inherant in DFT. Unfortunately, the authors do not understand the physical meaning of a "+U" correction, and follow the masses who have wrongly used GGA+U corrections to fit to band gaps. A +U correction is an energetic penalty to partial occupation, and can be used to fix the band gaps of materials where the VB and CB edges are made up entirely of the same orbital, where a splitting between occupied and unoccuied states is well defined. For a charge transfer semiconductor such as Ta3N5, this analysis is completely wrong. Thus any conclusions made are fatally flawed. |
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这句的详细翻译应该是这样。+U方法可以修正Band Gap的材料要满足这样的条件：价带顶和导带底是由同样的轨道产生的。在此情况中，占据态和非占据态的splitting是可以很好的定义的。 所以，LZ可以适当给大家show一下氮化钽在费米区域内的PDOS，看看是不是reviewer说的情况。 顺便，很多文章都是有问题的，这个也依赖于reviewer是不是相关技术的大牛。比如+U这个东西，我相信绝大多数人对+U的想法就是个“矫正”，从来没有关心+U究竟矫正了什么，是根据什么基理矫正的，所以很多文章的+U方法并不见得就是正确，但是人家没碰到专业的reviewer，也就PASS了。 当然，+U可能不仅仅是那么一个非整占据问题，但截至目前，非整占据是对+U理论不错的解释。恰好LZ碰到的reviewer又是这个领域的专家，问题自然就来了。所以，LZ即使举例说有谁谁谁的文章也是这么算的，也不见得就管用。如果发出的文章都是真理了，那大家也就没必要做那么多科研了~ 不过不管怎么说，既然用某个技术，去稍微深究一下这个技术究竟是怎么回事，绝对是有利少弊的事情的，简单山寨的思想在学术界可是相当大的绊脚石。 |
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awanker
9楼2013-07-25 17:41:53
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5楼2013-07-24 12:34:00
| 据我所知，大多数金属氧化物或者金属氮化物半导体材料的价带和导带组成都是类似的，即：价带主要由氧或者氮的p轨道组成，而导带主要由金属的d轨道组成。而这个审稿人说，如果要使用+U，那么这个被+U的材料的价带和导带必须由相同的轨道组成。我不是太理解这个意思。我看好多氧化物半导体材料都在使用+U处理，这些材料的价带和导带都不是完全由同种轨道组成的。所以，我比较费解审稿人的真正意思。到底是说对于这个Ta3N5材料，不能使用+U来处理；还是说可以使用+U，只是我采用的+U的方法不对。我采用的+U的U值是仿照“Effects of cation d states on the structural and electronic properties of III-nitride and II-oxide wide-band-gap semiconductors” (Phys. Rev. B, 2006, 74, 045202).这篇文献的。 |
6楼2013-07-24 12:43:35
zphu_nku
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【答案】应助回帖
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awanker: 金币+5, ★★★很有帮助, 非常感谢 2013-07-25 08:56:46
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建议你阅读一下关于LDA＋U的原始文献（比如VASP说明书中的内容和相关文献），先 弄清U的含义，才能给这个审稿人以有效的回应。另外，好要看你U加在何种元素上，如果你加在N上，估计说不清楚；只加在Ta上还可以辩解一下。 简而言之，就是你从原始文献里面了解+U的含义，然后写一段话能把“ A +U correction is an energetic penalty to partial occupation, and can be used to fix the band gaps of materials where the VB and CB edges are made up entirely of the same orbital, where a splitting between occupied and unoccuied states is well defined.”推翻就可以。 |
7楼2013-07-24 12:54:38
zphu_nku
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