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我的一篇理论计算的文章，计算的是Ta3N5这种半导体材料，用的是GGA+U来算的。最近审稿意见回来了。审稿意见只有一段话，由于我的水平有限，读了数遍勉强理解其中的意思，我的理解是：“该审稿人认为我对Ta3N5这种材料使用GGA+U是不合适的。因为GGA+U只适用于价带和导带由相同的原子轨道组成的材料。” 但是，我看其他一些材料，例如非常经典的TiO2，也有非常多的人用+U去计算。TiO2的价带主要由O2p组成，而导带主要由Ti3d组成。我计算的Ta3N5的价带和导带分别主要由N2p和Ta5d组成。所以，我不理解审稿人的意见到底是什么意思。下面给出审稿人的意义原文，想请各位给我分析分析。 由于我的金币不多，全部家当才5.5个金币，所以比较寒碜。暂时贡献5.5个金币，等我有了更多的金币一定再贡献出来。谢谢。 This study used GGA+U to fix the band gap problem inherant in DFT. Unfortunately, the authors do not understand the physical meaning of a "+U" correction, and follow the masses who have wrongly used GGA+U corrections to fit to band gaps. A +U correction is an energetic penalty to partial occupation, and can be used to fix the band gaps of materials where the VB and CB edges are made up entirely of the same orbital, where a splitting between occupied and unoccuied states is well defined. For a charge transfer semiconductor such as Ta3N5, this analysis is completely wrong. Thus any conclusions made are fatally flawed. |
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6楼2013-07-24 12:43:35
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