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我的一篇理论计算的文章,计算的是Ta3N5这种半导体材料,用的是GGA+U来算的。最近审稿意见回来了。审稿意见只有一段话,由于我的水平有限,读了数遍勉强理解其中的意思,我的理解是:“该审稿人认为我对Ta3N5这种材料使用GGA+U是不合适的。因为GGA+U只适用于价带和导带由相同的原子轨道组成的材料。” 但是,我看其他一些材料,例如非常经典的TiO2,也有非常多的人用+U去计算。TiO2的价带主要由O2p组成,而导带主要由Ti3d组成。我计算的Ta3N5的价带和导带分别主要由N2p和Ta5d组成。所以,我不理解审稿人的意见到底是什么意思。下面给出审稿人的意义原文,想请各位给我分析分析。 由于我的金币不多,全部家当才5.5个金币,所以比较寒碜。暂时贡献5.5个金币,等我有了更多的金币一定再贡献出来。谢谢。 This study used GGA+U to fix the band gap problem inherant in DFT. Unfortunately, the authors do not understand the physical meaning of a "+U" correction, and follow the masses who have wrongly used GGA+U corrections to fit to band gaps. A +U correction is an energetic penalty to partial occupation, and can be used to fix the band gaps of materials where the VB and CB edges are made up entirely of the same orbital, where a splitting between occupied and unoccuied states is well defined. For a charge transfer semiconductor such as Ta3N5, this analysis is completely wrong. Thus any conclusions made are fatally flawed. |
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这句的详细翻译应该是这样。+U方法可以修正Band Gap的材料要满足这样的条件:价带顶和导带底是由同样的轨道产生的。在此情况中,占据态和非占据态的splitting是可以很好的定义的。 所以,LZ可以适当给大家show一下氮化钽在费米区域内的PDOS,看看是不是reviewer说的情况。 顺便,很多文章都是有问题的,这个也依赖于reviewer是不是相关技术的大牛。比如+U这个东西,我相信绝大多数人对+U的想法就是个“矫正”,从来没有关心+U究竟矫正了什么,是根据什么基理矫正的,所以很多文章的+U方法并不见得就是正确,但是人家没碰到专业的reviewer,也就PASS了。 当然,+U可能不仅仅是那么一个非整占据问题,但截至目前,非整占据是对+U理论不错的解释。恰好LZ碰到的reviewer又是这个领域的专家,问题自然就来了。所以,LZ即使举例说有谁谁谁的文章也是这么算的,也不见得就管用。如果发出的文章都是真理了,那大家也就没必要做那么多科研了~ 不过不管怎么说,既然用某个技术,去稍微深究一下这个技术究竟是怎么回事,绝对是有利少弊的事情的,简单山寨的思想在学术界可是相当大的绊脚石。 |

9楼2013-07-25 17:41:53
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