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awanker

铜虫 (正式写手)

[求助] 文章审稿意见求助!

我的一篇理论计算的文章,计算的是Ta3N5这种半导体材料,用的是GGA+U来算的。最近审稿意见回来了。审稿意见只有一段话,由于我的水平有限,读了数遍勉强理解其中的意思,我的理解是:“该审稿人认为我对Ta3N5这种材料使用GGA+U是不合适的。因为GGA+U只适用于价带和导带由相同的原子轨道组成的材料。”
但是,我看其他一些材料,例如非常经典的TiO2,也有非常多的人用+U去计算。TiO2的价带主要由O2p组成,而导带主要由Ti3d组成。我计算的Ta3N5的价带和导带分别主要由N2p和Ta5d组成。所以,我不理解审稿人的意见到底是什么意思。下面给出审稿人的意义原文,想请各位给我分析分析。
由于我的金币不多,全部家当才5.5个金币,所以比较寒碜。暂时贡献5.5个金币,等我有了更多的金币一定再贡献出来。谢谢。

This study used GGA+U to fix the band gap problem inherant in DFT. Unfortunately, the authors do not understand the physical meaning of a "+U" correction, and follow the masses who have wrongly used GGA+U corrections to fit to band gaps. A +U correction is an energetic penalty to partial occupation, and can be used to fix the band gaps of materials where the VB and CB edges are made up entirely of the same orbital, where a splitting between occupied and unoccuied states is well defined. For a charge transfer semiconductor such as Ta3N5, this analysis is completely wrong. Thus any conclusions made are fatally flawed.
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awanker

铜虫 (正式写手)

送红花一朵
引用回帖:
9楼: Originally posted by DFPT at 2013-07-25 17:41:53
这句的详细翻译应该是这样。+U方法可以修正Band Gap的材料要满足这样的条件:价带顶和导带底是由同样的轨道产生的。在此情况中,占据态和非占据态的splitting是可以很好的定义的。
所以,LZ可以适当给大家show一 ...

11楼2018-07-12 22:30:16
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fzx2008

荣誉版主 (著名写手)

优秀版主优秀版主

这个比较有意思,关注一下
2楼2013-07-24 10:08:48
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hejinghui

新虫 (小有名气)

直接枪毙。。。。遇到大牛了
3楼2013-07-24 10:35:33
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xyzzz986

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
应该是说你用的方法不对,+U不适合你的体系,结论自然不靠谱。
4楼2013-07-24 10:40:40
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