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王致远金虫 (著名写手)
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[求助]
求助 ZnO 薄膜器件（TFT）的IV测试 已有3人参与
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本人最近在做ZnO/SiO2/n-type-Si 的TFT结构，想做其IV测试，但是效果一直不理想。希望有了解的人给予帮助。 我的样品为100nmZnO，100nmSiO2，n-type Si（电阻率2.3-4.3Ω·cm），在ZnO表面做了两个金（Au)电极，电极间距为2mm，电极宽度为5mm。在Si衬底上用银胶连接了铜引线(如图1）。 我测试的问题主要有两点：第一点，我的实验Ids 一般mA量级，然而文献中的多为uA量级，比我的小多了。第二点，文献中的Vgs加一定的电压时，在Vds=10V左右就出现了饱和。但是我的测试一直没有测试出饱和区。 图2-图5是从不同文章中截的图。 期待做过相关测试的同学给予帮助。  1.jpg  2.jpg  3.jpg  4.jpg  5.jpg |
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王致远: 金币+2, ★★★很有帮助 2013-07-16 20:04:43
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比较粗糙的说，源漏电流大小和你电极的大小有关系。文献的电流小，可能电极也比你小得多。这个不是问题的主因。你的器件制备尺寸也太大了，换一个小一点的模版吧。一般来说，膜越大，缺陷问题也就越多，性质也差。 看你的图，这个就是导电了啊，场效应完全没有出来。100nm的氧化硅如果是热氧化的话，30或者40V的电压应当是没有问题的。 首先，检查一下本身你的测试仪器没有问题，有没有短路或者接错，可以测试一个保证没有问题的器件作参考。 其次，把器件单独划开，这样可以减小漏电流。直接用探针划开就可以。 |
7楼2013-07-16 19:13:52
wiseroy
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匿名
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