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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 功能薄膜 » 求助 ZnO 薄膜器件（TFT）的IV测试
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王致远

金虫 (著名写手)
引用回帖:
9楼: Originally posted by nanohappy at 2013-07-17 17:33:21
从IV看，金属性，完全导通了，肯定回路的问题

有没有可能是输出特性的线性区，还没有出现饱和区？
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11楼2013-07-19 00:43:39
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王致远

金虫 (著名写手)
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=2460403&fpage=1
给自己发个可能有帮助的链接，也便于以后有遇到相同问题的参考！
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12楼2013-07-19 00:47:36
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wu1008
引用回帖:
10楼: Originally posted by 王致远 at 2013-07-19 00:41:39
尺寸小的掩膜板也做了。文章中也有做很大电极的。我现在主要是想初步看看效果，所以想用大点的电极试验一下，以后会用小电极的。电极大了差距会很大么？...

13楼2013-07-21 13:12:11
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OTFTOLED

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
王致远: 金币+5 2013-08-13 23:46:33
你好 我之前做过ZnO的TFT 不过是Solution Process的薄膜制备工艺，首先 你的transfer Curve 是没有field-effect的，类似于导体。
我来分析下你的器件结构
1.ZnO是N-type 用Au做电极 功函数不匹配 个人建议用Al 不然接触电阻会很大 影响器件性能
2.沟道的W和L我不明白为什么是mm级别 TFT一般都是微米量级的

关于漏电流的问题，很简单 测量一个Igs和Vgs的曲线就知道了 100nm的SiO2薄膜很薄 如果ZnO导电性很好有时一片薄膜的话 ，整个薄膜有缺陷的地方就会导通到栅极 有可能有漏电流。漏电流和绝缘层有关系 和 ZnO本身肯定是无关的。

希望对你的实验有帮助
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14楼2013-08-08 22:53:19
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xiaojianxing

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
14楼: Originally posted by OTFTOLED at 2013-08-08 22:53:19
你好 我之前做过ZnO的TFT 不过是Solution Process的薄膜制备工艺，首先 你的transfer Curve 是没有field-effect的，类似于导体。
我来分析下你的器件结构
1.ZnO是N-type 用Au做电极 功函数不匹配 个人建议用Al 不 ...

你好，可以加个Q交流下么？我是做ZnO TFT的
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15楼2014-10-17 21:41:30
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xiaojianxing

新虫 (初入文坛)
楼主加个Q吧，咱交流下，我是做TFT的
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16楼2014-10-17 21:43:01
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xiaojianxing

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
7楼: Originally posted by Fateam at 2013-07-16 19:13:52
比较粗糙的说，源漏电流大小和你电极的大小有关系。文献的电流小，可能电极也比你小得多。这个不是问题的主因。你的器件制备尺寸也太大了，换一个小一点的模版吧。一般来说，膜越大，缺陷问题也就越多，性质也差。
...

童鞋是做TFT的吗？可以加个Q交流下么？1063704204
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17楼2014-10-17 21:44:58
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fansonic

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

1.首先你的ZnO厚度太厚了。
2.而且最主要你的氧偏压肯定有问题，搞得ZnO channel太导了。
3.用shallow mask来做ZnO溅射，至少把channel size弄小，下面一整块的ZnO，W/L都不能算，各种导电。Au source、drain 和 ZnO channel的patterning要做好。
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18楼2014-10-27 14:29:54
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cord

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

你所用的ZnO电导率跟文献中的ZnO电导率一样吗？
从IV曲线图估计你的ZnO的电导率要比文献中的大很多， 电流直接从ZnO层通过，因而IV曲线是直线。
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19楼2014-10-27 23:27:24
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13277942375

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

这个曲线几乎是直的，可以考虑加大栅压再试试
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一入科研深似海
20楼2015-12-08 10:10:10
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