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1楼2013-07-15 02:23:53

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wu1008

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电极间距为2mm？开什么玩笑？

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5楼2013-07-15 23:43:42

wiseroy

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3楼: Originally posted by 王致远 at 2013-07-15 22:28:01
SiO2 薄膜100nm，不会有漏电流吧？...

因为是做实验，所以，我也是猜测，氧空位

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善良

4楼2013-07-15 22:31:23

Fateam

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【答案】应助回帖

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王致远: 金币+2, ★★★很有帮助 2013-07-16 20:04:43

比较粗糙的说，源漏电流大小和你电极的大小有关系。文献的电流小，可能电极也比你小得多。这个不是问题的主因。你的器件制备尺寸也太大了，换一个小一点的模版吧。一般来说，膜越大，缺陷问题也就越多，性质也差。

看你的图，这个就是导电了啊，场效应完全没有出来。100nm的氧化硅如果是热氧化的话，30或者40V的电压应当是没有问题的。
首先，检查一下本身你的测试仪器没有问题，有没有短路或者接错，可以测试一个保证没有问题的器件作参考。
其次，把器件单独划开，这样可以减小漏电流。直接用探针划开就可以。

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7楼2013-07-16 19:13:52

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wiseroy

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【答案】应助回帖

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王致远: 金币+2, ★有帮助 2013-07-15 22:26:15

感觉薄膜有点漏电？是不是可以退火？

善良

2楼2013-07-15 20:05:07

王致远

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2楼: Originally posted by wiseroy at 2013-07-15 20:05:07
感觉薄膜有点漏电？是不是可以退火？

SiO2 薄膜100nm，不会有漏电流吧？

3楼2013-07-15 22:28:01

匿名

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王致远: 金币+2, ★有帮助 2013-07-16 20:03:15

本帖仅楼主可见

6楼2013-07-16 08:08:46

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王致远

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6楼: Originally posted by ljw1202 at 2013-07-16 08:08:46
先不说器件结构问题，漏电流这么大，肯定是薄膜质量问题，可以改变实验条件，比如说生长温度，氧气含量，另外SiO2是ALD还是RF-SD不明，改变实验方法也是个选项，另外如果薄膜过厚会导致多晶，建议20-30纳米为宜。

SiO2是在公司买的成品，热生长的

8楼2013-07-16 20:03:47