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王致远金虫 (著名写手)
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求助 ZnO 薄膜器件（TFT）的IV测试已有3人参与
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本人最近在做ZnO/SiO2/n-type-Si 的TFT结构，想做其IV测试，但是效果一直不理想。希望有了解的人给予帮助。 我的样品为100nmZnO，100nmSiO2，n-type Si（电阻率2.3-4.3Ω·cm），在ZnO表面做了两个金（Au)电极，电极间距为2mm，电极宽度为5mm。在Si衬底上用银胶连接了铜引线(如图1）。 我测试的问题主要有两点：第一点，我的实验Ids 一般mA量级，然而文献中的多为uA量级，比我的小多了。第二点，文献中的Vgs加一定的电压时，在Vds=10V左右就出现了饱和。但是我的测试一直没有测试出饱和区。 图2-图5是从不同文章中截的图。 期待做过相关测试的同学给予帮助。  1.jpg  2.jpg  3.jpg  4.jpg  5.jpg |
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王致远
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