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王致远

金虫 (著名写手)

[求助] 求助 ZnO 薄膜器件(TFT)的IV测试 已有3人参与

本人最近在做ZnO/SiO2/n-type-Si 的TFT结构,想做其IV测试,但是效果一直不理想。希望有了解的人给予帮助。
我的样品为100nmZnO,100nmSiO2,n-type Si(电阻率2.3-4.3Ω·cm),在ZnO表面做了两个金(Au)电极,电极间距为2mm,电极宽度为5mm。在Si衬底上用银胶连接了铜引线(如图1)。
我测试的问题主要有两点:第一点,我的实验Ids 一般mA量级,然而文献中的多为uA量级,比我的小多了。第二点,文献中的Vgs加一定的电压时,在Vds=10V左右就出现了饱和。但是我的测试一直没有测试出饱和区。

图2-图5是从不同文章中截的图。

期待做过相关测试的同学给予帮助。
求助 ZnO 薄膜器件(TFT)的IV测试
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求助 ZnO 薄膜器件(TFT)的IV测试-1
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求助 ZnO 薄膜器件(TFT)的IV测试-2
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求助 ZnO 薄膜器件(TFT)的IV测试-3
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求助 ZnO 薄膜器件(TFT)的IV测试-4
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wu1008

金虫 (著名写手)

电极间距为2mm?开什么玩笑?
5楼2013-07-15 23:43:42
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wiseroy

木虫 (著名写手)

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【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
王致远: 金币+2, 有帮助 2013-07-15 22:26:15
感觉薄膜有点漏电?是不是可以退火?
善良
2楼2013-07-15 20:05:07
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王致远

金虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by wiseroy at 2013-07-15 20:05:07
感觉薄膜有点漏电?是不是可以退火?

SiO2 薄膜100nm,不会有漏电流吧?
3楼2013-07-15 22:28:01
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wiseroy

木虫 (著名写手)

更多共享-更多交流-更多进步

引用回帖:
3楼: Originally posted by 王致远 at 2013-07-15 22:28:01
SiO2 薄膜100nm,不会有漏电流吧?...

因为是做实验,所以,我也是猜测,氧空位
善良
4楼2013-07-15 22:31:23
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