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王致远

金虫 (著名写手)

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专业: 同步辐射技术及其应用

[求助] 求助 ZnO 薄膜器件（TFT）的IV测试已有3人参与

本人最近在做ZnO/SiO2/n-type-Si 的TFT结构，想做其IV测试，但是效果一直不理想。希望有了解的人给予帮助。
我的样品为100nmZnO，100nmSiO2，n-type Si（电阻率2.3-4.3Ω·cm），在ZnO表面做了两个金（Au)电极，电极间距为2mm，电极宽度为5mm。在Si衬底上用银胶连接了铜引线(如图1）。
我测试的问题主要有两点：第一点，我的实验Ids 一般mA量级，然而文献中的多为uA量级，比我的小多了。第二点，文献中的Vgs加一定的电压时，在Vds=10V左右就出现了饱和。但是我的测试一直没有测试出饱和区。

图2-图5是从不同文章中截的图。

期待做过相关测试的同学给予帮助。

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1楼 2013-07-15 02:23:53

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Fateam

木虫 (小有名气)

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专业: 有机分子功能材料化学

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
王致远: 金币+2, ★★★很有帮助 2013-07-16 20:04:43

比较粗糙的说，源漏电流大小和你电极的大小有关系。文献的电流小，可能电极也比你小得多。这个不是问题的主因。你的器件制备尺寸也太大了，换一个小一点的模版吧。一般来说，膜越大，缺陷问题也就越多，性质也差。

看你的图，这个就是导电了啊，场效应完全没有出来。100nm的氧化硅如果是热氧化的话，30或者40V的电压应当是没有问题的。
首先，检查一下本身你的测试仪器没有问题，有没有短路或者接错，可以测试一个保证没有问题的器件作参考。
其次，把器件单独划开，这样可以减小漏电流。直接用探针划开就可以。