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王致远

金虫 (著名写手)

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[求助] 求助 ZnO 薄膜器件（TFT）的IV测试已有3人参与

本人最近在做ZnO/SiO2/n-type-Si 的TFT结构，想做其IV测试，但是效果一直不理想。希望有了解的人给予帮助。
我的样品为100nmZnO，100nmSiO2，n-type Si（电阻率2.3-4.3Ω·cm），在ZnO表面做了两个金（Au)电极，电极间距为2mm，电极宽度为5mm。在Si衬底上用银胶连接了铜引线(如图1）。
我测试的问题主要有两点：第一点，我的实验Ids 一般mA量级，然而文献中的多为uA量级，比我的小多了。第二点，文献中的Vgs加一定的电压时，在Vds=10V左右就出现了饱和。但是我的测试一直没有测试出饱和区。

图2-图5是从不同文章中截的图。

期待做过相关测试的同学给予帮助。

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1楼 2013-07-15 02:23:53

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银虫 (小有名气)

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【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
王致远: 金币+5 2013-08-13 23:46:33

你好我之前做过ZnO的TFT 不过是Solution Process的薄膜制备工艺，首先你的transfer Curve 是没有field-effect的，类似于导体。
我来分析下你的器件结构
1.ZnO是N-type 用Au做电极功函数不匹配个人建议用Al 不然接触电阻会很大影响器件性能
2.沟道的W和L我不明白为什么是mm级别 TFT一般都是微米量级的

关于漏电流的问题，很简单测量一个Igs和Vgs的曲线就知道了 100nm的SiO2薄膜很薄如果ZnO导电性很好有时一片薄膜的话，整个薄膜有缺陷的地方就会导通到栅极有可能有漏电流。漏电流和绝缘层有关系和 ZnO本身肯定是无关的。

希望对你的实验有帮助