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硅衬底上去除氧化硅
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da198919
木虫
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虫号: 1277270
注册: 2011-04-25
性别: GG
专业: 半导体电子器件
[
求助
]
硅衬底上去除氧化硅
请教各位大侠,采用高掺杂P型硅做电极,表面一层氧化硅300nm完全覆盖,我做检测探针不能扎到硅电极上,如何可以去除一部分氧化硅露出下面的硅电极?
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1楼
2012-10-22 16:57:47
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Ivan_ye
金虫
(正式写手)
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(小学生)
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帖子: 798
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虫号: 978357
注册: 2010-03-22
专业: 聚合物共混与复合材料
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
da198919: 金币+5,
★★★
很有帮助, 我这是个完整的器件,没使用过Ar轰击,不过现在已经解决好了,还是谢谢了
2012-10-24 09:59:17
zyz666888: 金币+1, 感谢应助,欢迎常来!
2013-01-03 08:23:56
用高能Ar离子束轰击一下就可以了
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3楼
2012-10-23 12:11:51
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王全龙ciomp
木虫
(著名写手)
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帖子: 1596
在线: 247.1小时
虫号: 2064097
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性别: GG
专业: 光学和光电子学
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
da198919: 金币+5,
★★★
很有帮助, 恩,这样做可以,不过我就只要一点点面积漏出来就可以了,没必要这么麻烦,还是谢谢了,以后会用得到
2012-10-28 11:13:01
zyz666888: 金币+1, 感谢应助,欢迎常来!
2013-01-03 08:24:11
用光刻胶做一层保护层,用HF溶液腐蚀
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4楼
2012-10-25 12:33:47
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liyangntu
金虫
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(幼儿园)
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在线: 400.8小时
虫号: 2178963
注册: 2012-12-10
性别: GG
专业: 半导体电子器件
一般都是用DHF清洗。但是清洗过后放在空气中很快还是会氧化的。不过如果只有300nm,不至于探针扎无法接触下面掺杂过的硅。
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5楼
2013-01-02 16:59:58
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