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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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tider

木虫 (正式写手)

[交流] 半导体带隙

ＤＦＴ计算带隙都会由于低估ｄ轨道的能量而使带隙偏低，我看到文献中有很多减少这个误差的方法。比如
１，用计算值求出某掺杂浓度的ｂ值，然后代入实验数据得到该浓度的带隙。
２，用一些改进算法，ＧＧＡ＋ＳＱＳ（special quasirandom structures　approach）。　我不知道是不是应该这样表示。

大家能讨论一下两个问题么？
ａ，第一个方法可靠与否。
ｂ，大家都遇到了什么改进算法，这些算法应该怎么表示呢

[ Last edited by tider on 2011-5-26 at 09:38 ]
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1楼 2011-05-26 09:37:27
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enola

捐助贵宾 (正式写手)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
tider(金币+2): 恩，谢谢交流 2011-05-26 18:26:06
zzy870720z(金币+1): 鼓励交流 2011-05-26 20:49:02
引用回帖:
Originally posted by tider at 2011-05-26 09:37:27:
ＤＦＴ计算带隙都会由于低估ｄ轨道的能量而使带隙偏低，我看到文献中有很多减少这个误差的方法。比如
１，用计算值求出某掺杂浓度的ｂ值，然后代入实验数据得到该浓度的带隙。
２，用一些改进算法，ＧＧＡ＋ＳＱ ...

对于问题阿。。
有人用hybride scheme（PBE0）
还有用screen的方法。。。
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2楼2011-05-26 14:59:07
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luoluoasdf

银虫 (小有名气)
★ ★
tider(金币+1):谢谢参与
tider(金币+1): 恩，谢谢交流 2011-05-27 23:40:01
zhang668(金币+1): 多谢交流 2011-05-28 18:17:53
貌似有不少人用剪刀算符直接剪调整带隙至实验值，不过这样必须得先知道实验值。还有个方法是用DTF+U来计算这种DFT+U只取决于U-J，J的大小影响不大相同的元素在不同结构下U值是不一样的，通过改变U值来时计算值和实验值吻合。具体的我也不懂
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3楼2011-05-27 19:07:59
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)
★ ★
tider(金币+1):谢谢参与
tider(金币+1): 2011-05-27 23:50:01
zhang668(金币+1): 多谢交流 2011-05-28 18:18:02
引用回帖:
Originally posted by tider at 2011-05-26 09:37:27:
ＤＦＴ计算带隙都会由于低估ｄ轨道的能量而使带隙偏低，我看到文献中有很多减少这个误差的方法。比如
１，用计算值求出某掺杂浓度的ｂ值，然后代入实验数据得到该浓度的带隙。
２，用一些改进算法，ＧＧＡ＋ＳＱ ...

SQS的这个东东只是帮你找出某掺杂浓度下更合适的结构而已，并不是对电子结构进行任何的改进。
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4楼2011-05-27 19:54:18
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tider

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2011-05-27 19:54:18:
SQS的这个东东只是帮你找出某掺杂浓度下更合适的结构而已，并不是对电子结构进行任何的改进。

一篇文献计算得到的ZnO的带隙为2.47，远远高于一般计算值0.7左右。他的计算方法里写到：
All calculations on ZnO are carried out based on the DFT and plane-wave pseudopotential methods, which are implemented in the First-principles
calculation programme CASTEP code. The electronic exchange and correlation functions are treated within DFT via generalized gradient approximation (GGA) with the Perdew-Wang functional.[17]Interactions of
electrons with ion cores are represented by the ultra-soft pseudopotential. Electronic states of Zn 3d and O 2s are treated as valence states because their orbit energies are relatively high. According to the special quasirandom structures (SQS) approach,[18]the BexZn1-xO structures can be obtained by...
是什么地方比较特殊呢？
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5楼2011-05-27 23:47:38
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tider

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by luoluoasdf at 2011-05-27 19:07:59:
貌似有不少人用剪刀算符直接剪调整带隙至实验值，不过这样必须得先知道实验值。还有个方法是用DTF+U来计算这种DFT+U只取决于U-J，J的大小影响不大相同的元素在不同结构下U值是不一样的，通过改变U值来时计算值和实 ...

恩，这里我也不太懂，具体的可能真要深入学习一下DFT理论吧
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6楼2011-05-27 23:49:37
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stractor

金虫 (著名写手)
★ ★
tider(金币+1):谢谢参与
zhang668(金币+1): 多谢交流 2011-05-28 18:18:22
tider(金币+1): 谢谢 2011-05-28 18:22:49
SQS只是对晶体结构的处理有帮助，并不对电子结构的计算有改进。
文章是对BexZn1-xO的结构用SQS确定，并不是说ZnO的能带用SQS确定。
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7楼2011-05-28 05:28:59
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tider

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by stractor at 2011-05-28 05:28:59:
SQS只是对晶体结构的处理有帮助，并不对电子结构的计算有改进。
文章是对BexZn1-xO的结构用SQS确定，并不是说ZnO的能带用SQS确定。

请问从文章中能看出是什么决定了ZnO的能带么？
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8楼2011-05-28 18:23:49
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stractor

金虫 (著名写手)
★ ★
youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。 2011-05-29 16:32:01
tider(金币+1): 2011-05-29 17:34:58
我不知道这边文章，标题，作者，刊物什么都没有。LDA和GGA计算的ZnO的带隙是在0.8eV左右。也不知道这篇文章计算的ZnO是什么结构。
从你列的那几句话还看不出有什么方法计算的带隙。SQS 是一种建立晶格结构的方法，楼主还是google一下什么是SQS 吧

[ Last edited by stractor on 2011-5-29 at 14:40 ]
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9楼2011-05-29 14:28:09
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tider

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by stractor at 2011-05-29 14:28:09:
我不知道这边文章，标题，作者，刊物什么都没有。LDA和GGA计算的ZnO的带隙是在0.8eV左右。也不知道这篇文章计算的ZnO是什么结构。
从你列的那几句话还看不出有什么方法计算的带隙。SQS 是一种建立晶格结构的方法 ...

好的。谢谢
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10楼2011-05-29 17:34:39
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