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tider

木虫 (正式写手)


[交流] 半导体带隙

DFT计算带隙都会由于低估d轨道的能量而使带隙偏低,我看到文献中有很多减少这个误差的方法。比如
1,用计算值求出某掺杂浓度的b值,然后代入实验数据得到该浓度的带隙。
2,用一些改进算法,GGA+SQS(special quasirandom structures approach)。 我不知道是不是应该这样表示。

大家能讨论一下两个问题么?
a,第一个方法可靠与否。
b,大家都遇到了什么改进算法,这些算法应该怎么表示呢

[ Last edited by tider on 2011-5-26 at 09:38 ]
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enola

捐助贵宾 (正式写手)


★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
tider(金币+2): 恩,谢谢交流 2011-05-26 18:26:06
zzy870720z(金币+1): 鼓励交流 2011-05-26 20:49:02
引用回帖:
Originally posted by tider at 2011-05-26 09:37:27:
DFT计算带隙都会由于低估d轨道的能量而使带隙偏低,我看到文献中有很多减少这个误差的方法。比如
1,用计算值求出某掺杂浓度的b值,然后代入实验数据得到该浓度的带隙。
2,用一些改进算法,GGA+SQ ...

对于问题阿。。
有人用hybride scheme(PBE0)
还有用screen的方法。。。
2楼2011-05-26 14:59:07
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luoluoasdf

银虫 (小有名气)


★ ★
tider(金币+1):谢谢参与
tider(金币+1): 恩,谢谢交流 2011-05-27 23:40:01
zhang668(金币+1): 多谢交流 2011-05-28 18:17:53
貌似有不少人用剪刀算符直接剪调整带隙至实验值,不过这样必须得先知道实验值。还有个方法是用DTF+U来计算这种DFT+U只取决于U-J,J的大小影响不大相同的元素在不同结构下U值是不一样的,通过改变U值来时计算值和实验值吻合。具体的我也不懂
3楼2011-05-27 19:07:59
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★ ★
tider(金币+1):谢谢参与
tider(金币+1): 2011-05-27 23:50:01
zhang668(金币+1): 多谢交流 2011-05-28 18:18:02
引用回帖:
Originally posted by tider at 2011-05-26 09:37:27:
DFT计算带隙都会由于低估d轨道的能量而使带隙偏低,我看到文献中有很多减少这个误差的方法。比如
1,用计算值求出某掺杂浓度的b值,然后代入实验数据得到该浓度的带隙。
2,用一些改进算法,GGA+SQ ...

SQS的这个东东只是帮你找出某掺杂浓度下更合适的结构而已,并不是对电子结构进行任何的改进。
4楼2011-05-27 19:54:18
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tider

木虫 (正式写手)


引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2011-05-27 19:54:18:
SQS的这个东东只是帮你找出某掺杂浓度下更合适的结构而已,并不是对电子结构进行任何的改进。

一篇文献计算得到的ZnO的带隙为2.47,远远高于一般计算值0.7左右。他的计算方法里写到:
All calculations on ZnO are carried out based on the DFT and plane-wave pseudopotential methods, which are implemented in the First-principles
calculation programme CASTEP code. The electronic exchange and correlation functions are treated within DFT via generalized gradient approximation (GGA) with the Perdew-Wang functional.[17]Interactions of
electrons with ion cores are represented by the ultra-soft pseudopotential. Electronic states of Zn 3d and O 2s are treated as valence states because their orbit energies are relatively high. According to the special quasirandom structures (SQS) approach,[18]the BexZn1-xO structures can be obtained by...
是什么地方比较特殊呢?
5楼2011-05-27 23:47:38
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tider

木虫 (正式写手)


引用回帖:
Originally posted by luoluoasdf at 2011-05-27 19:07:59:
貌似有不少人用剪刀算符直接剪调整带隙至实验值,不过这样必须得先知道实验值。还有个方法是用DTF+U来计算这种DFT+U只取决于U-J,J的大小影响不大相同的元素在不同结构下U值是不一样的,通过改变U值来时计算值和实 ...

恩,这里我也不太懂,具体的可能真要深入学习一下DFT理论吧
6楼2011-05-27 23:49:37
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stractor

金虫 (著名写手)


★ ★
tider(金币+1):谢谢参与
zhang668(金币+1): 多谢交流 2011-05-28 18:18:22
tider(金币+1): 谢谢 2011-05-28 18:22:49
SQS只是对晶体结构的处理有帮助,并不对电子结构的计算有改进。
文章是对BexZn1-xO的结构用SQS确定,并不是说ZnO的能带用SQS确定。
7楼2011-05-28 05:28:59
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tider

木虫 (正式写手)


引用回帖:
Originally posted by stractor at 2011-05-28 05:28:59:
SQS只是对晶体结构的处理有帮助,并不对电子结构的计算有改进。
文章是对BexZn1-xO的结构用SQS确定,并不是说ZnO的能带用SQS确定。

请问从文章中能看出是什么决定了ZnO的能带么?
8楼2011-05-28 18:23:49
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stractor

金虫 (著名写手)


★ ★
youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。 2011-05-29 16:32:01
tider(金币+1): 2011-05-29 17:34:58
我不知道这边文章,标题,作者,刊物什么都没有。LDA和GGA计算的ZnO的带隙是在0.8eV左右。也不知道这篇文章计算的ZnO是什么结构。
从你列的那几句话还看不出有什么方法计算的带隙。SQS 是一种建立晶格结构的方法,楼主还是google一下什么是SQS 吧

[ Last edited by stractor on 2011-5-29 at 14:40 ]
9楼2011-05-29 14:28:09
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tider

木虫 (正式写手)


引用回帖:
Originally posted by stractor at 2011-05-29 14:28:09:
我不知道这边文章,标题,作者,刊物什么都没有。LDA和GGA计算的ZnO的带隙是在0.8eV左右。也不知道这篇文章计算的ZnO是什么结构。
从你列的那几句话还看不出有什么方法计算的带隙。SQS 是一种建立晶格结构的方法 ...

好的。谢谢
10楼2011-05-29 17:34:39
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