应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

CyRhmU.jpeg
小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 半导体带隙
31/1返回列表
查看: 1735  |  回复: 9
查看全部回帖@他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

tider

木虫 (正式写手)

[交流] 半导体带隙

ＤＦＴ计算带隙都会由于低估ｄ轨道的能量而使带隙偏低，我看到文献中有很多减少这个误差的方法。比如
１，用计算值求出某掺杂浓度的ｂ值，然后代入实验数据得到该浓度的带隙。
２，用一些改进算法，ＧＧＡ＋ＳＱＳ（special quasirandom structures　approach）。　我不知道是不是应该这样表示。

大家能讨论一下两个问题么？
ａ，第一个方法可靠与否。
ｂ，大家都遇到了什么改进算法，这些算法应该怎么表示呢

[ Last edited by tider on 2011-5-26 at 09:38 ]
回复此楼

» 猜你喜欢

» 抢金币啦！回帖就可以得到:

查看全部散金贴
1楼2011-05-26 09:37:27
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

stractor

金虫 (著名写手)
★ ★
tider(金币+1):谢谢参与
zhang668(金币+1): 多谢交流 2011-05-28 18:18:22
tider(金币+1): 谢谢 2011-05-28 18:22:49
SQS只是对晶体结构的处理有帮助，并不对电子结构的计算有改进。
文章是对BexZn1-xO的结构用SQS确定，并不是说ZnO的能带用SQS确定。
赞一下(2人) 回复此楼
7楼2011-05-28 05:28:59
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

stractor

金虫 (著名写手)
★ ★
youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。 2011-05-29 16:32:01
tider(金币+1): 2011-05-29 17:34:58
我不知道这边文章，标题，作者，刊物什么都没有。LDA和GGA计算的ZnO的带隙是在0.8eV左右。也不知道这篇文章计算的ZnO是什么结构。
从你列的那几句话还看不出有什么方法计算的带隙。SQS 是一种建立晶格结构的方法，楼主还是google一下什么是SQS 吧

[ Last edited by stractor on 2011-5-29 at 14:40 ]
赞一下(1人) 回复此楼
9楼2011-05-29 14:28:09
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 tider 的主题更新
31/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫 高级回复(可上传附件)
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭