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半导体带隙
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ＤＦＴ计算带隙都会由于低估ｄ轨道的能量而使带隙偏低，我看到文献中有很多减少这个误差的方法。比如 １，用计算值求出某掺杂浓度的ｂ值，然后代入实验数据得到该浓度的带隙。 ２，用一些改进算法，ＧＧＡ＋ＳＱＳ（special quasirandom structures approach）。 我不知道是不是应该这样表示。 大家能讨论一下两个问题么？ ａ，第一个方法可靠与否。 ｂ，大家都遇到了什么改进算法，这些算法应该怎么表示呢 [ Last edited by tider on 2011-5-26 at 09:38 ] |
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一篇文献计算得到的ZnO的带隙为2.47，远远高于一般计算值0.7左右。他的计算方法里写到： All calculations on ZnO are carried out based on the DFT and plane-wave pseudopotential methods, which are implemented in the First-principles calculation programme CASTEP code. The electronic exchange and correlation functions are treated within DFT via generalized gradient approximation (GGA) with the Perdew-Wang functional.[17]Interactions of electrons with ion cores are represented by the ultra-soft pseudopotential. Electronic states of Zn 3d and O 2s are treated as valence states because their orbit energies are relatively high. According to the special quasirandom structures (SQS) approach,[18]the BexZn1-xO structures can be obtained by... 是什么地方比较特殊呢？ |
5楼2011-05-27 23:47:38
2楼2011-05-26 14:59:07
3楼2011-05-27 19:07:59
4楼2011-05-27 19:54:18