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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 半导体带隙
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tider

木虫 (正式写手)

[交流] 半导体带隙

ＤＦＴ计算带隙都会由于低估ｄ轨道的能量而使带隙偏低，我看到文献中有很多减少这个误差的方法。比如
１，用计算值求出某掺杂浓度的ｂ值，然后代入实验数据得到该浓度的带隙。
２，用一些改进算法，ＧＧＡ＋ＳＱＳ（special quasirandom structures　approach）。　我不知道是不是应该这样表示。

大家能讨论一下两个问题么？
ａ，第一个方法可靠与否。
ｂ，大家都遇到了什么改进算法，这些算法应该怎么表示呢

[ Last edited by tider on 2011-5-26 at 09:38 ]
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1楼2011-05-26 09:37:27
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luoluoasdf

银虫 (小有名气)
★ ★
tider(金币+1):谢谢参与
tider(金币+1): 恩，谢谢交流 2011-05-27 23:40:01
zhang668(金币+1): 多谢交流 2011-05-28 18:17:53
貌似有不少人用剪刀算符直接剪调整带隙至实验值，不过这样必须得先知道实验值。还有个方法是用DTF+U来计算这种DFT+U只取决于U-J，J的大小影响不大相同的元素在不同结构下U值是不一样的，通过改变U值来时计算值和实验值吻合。具体的我也不懂
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3楼2011-05-27 19:07:59
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