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tider

木虫 (正式写手)

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[交流] 半导体带隙

ＤＦＴ计算带隙都会由于低估ｄ轨道的能量而使带隙偏低，我看到文献中有很多减少这个误差的方法。比如
１，用计算值求出某掺杂浓度的ｂ值，然后代入实验数据得到该浓度的带隙。
２，用一些改进算法，ＧＧＡ＋ＳＱＳ（special quasirandom structures　approach）。　我不知道是不是应该这样表示。

大家能讨论一下两个问题么？
ａ，第一个方法可靠与否。
ｂ，大家都遇到了什么改进算法，这些算法应该怎么表示呢

[ Last edited by tider on 2011-5-26 at 09:38 ]

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1楼2011-05-26 09:37:27

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tider

木虫 (正式写手)

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引用回帖:

Originally posted by stractor at 2011-05-29 14:28:09:
我不知道这边文章，标题，作者，刊物什么都没有。LDA和GGA计算的ZnO的带隙是在0.8eV左右。也不知道这篇文章计算的ZnO是什么结构。
从你列的那几句话还看不出有什么方法计算的带隙。SQS 是一种建立晶格结构的方法 ...

好的。谢谢

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10楼2011-05-29 17:34:39

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enola

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★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
tider(金币+2): 恩，谢谢交流 2011-05-26 18:26:06
zzy870720z(金币+1): 鼓励交流 2011-05-26 20:49:02

引用回帖:

Originally posted by tider at 2011-05-26 09:37:27:
ＤＦＴ计算带隙都会由于低估ｄ轨道的能量而使带隙偏低，我看到文献中有很多减少这个误差的方法。比如
１，用计算值求出某掺杂浓度的ｂ值，然后代入实验数据得到该浓度的带隙。
２，用一些改进算法，ＧＧＡ＋ＳＱ ...

对于问题阿。。
有人用hybride scheme（PBE0）
还有用screen的方法。。。