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半导体带隙
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ＤＦＴ计算带隙都会由于低估ｄ轨道的能量而使带隙偏低，我看到文献中有很多减少这个误差的方法。比如 １，用计算值求出某掺杂浓度的ｂ值，然后代入实验数据得到该浓度的带隙。 ２，用一些改进算法，ＧＧＡ＋ＳＱＳ（special quasirandom structures approach）。 我不知道是不是应该这样表示。 大家能讨论一下两个问题么？ ａ，第一个方法可靠与否。 ｂ，大家都遇到了什么改进算法，这些算法应该怎么表示呢 [ Last edited by tider on 2011-5-26 at 09:38 ] |
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