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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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tider

版主

优秀！！有木有！！！优秀！！有木有！！！优秀！！有木有！！！优秀！！有木有！！！

[交流] 半导体带隙

ＤＦＴ计算带隙都会由于低估ｄ轨道的能量而使带隙偏低，我看到文献中有很多减少这个误差的方法。比如
１，用计算值求出某掺杂浓度的ｂ值，然后代入实验数据得到该浓度的带隙。
２，用一些改进算法，ＧＧＡ＋ＳＱＳ（special quasirandom structures　approach）。　我不知道是不是应该这样表示。

大家能讨论一下两个问题么？
ａ，第一个方法可靠与否。
ｂ，大家都遇到了什么改进算法，这些算法应该怎么表示呢

[ Last edited by tider on 2011-5-26 at 09:38 ]
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1楼 2011-05-26 09:37:27
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tider

主管区长

优秀！！有木有！！！优秀！！有木有！！！优秀！！有木有！！！优秀！！有木有！！！
引用回帖:
Originally posted by stractor at 2011-05-28 05:28:59:
SQS只是对晶体结构的处理有帮助，并不对电子结构的计算有改进。
文章是对BexZn1-xO的结构用SQS确定，并不是说ZnO的能带用SQS确定。

请问从文章中能看出是什么决定了ZnO的能带么？
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8楼2011-05-28 18:23:49
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enola

无虫
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
tider(金币+2): 恩，谢谢交流 2011-05-26 18:26:06
zzy870720z(金币+1): 鼓励交流 2011-05-26 20:49:02
引用回帖:
Originally posted by tider at 2011-05-26 09:37:27:
ＤＦＴ计算带隙都会由于低估ｄ轨道的能量而使带隙偏低，我看到文献中有很多减少这个误差的方法。比如
１，用计算值求出某掺杂浓度的ｂ值，然后代入实验数据得到该浓度的带隙。
２，用一些改进算法，ＧＧＡ＋ＳＱ ...

对于问题阿。。
有人用hybride scheme（PBE0）
还有用screen的方法。。。
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2楼2011-05-26 14:59:07
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luoluoasdf

兑换贵宾

优秀！！有木有！！！优秀！！有木有！！！优秀！！有木有！！！优秀！！有木有！！！
★ ★
tider(金币+1):谢谢参与
tider(金币+1): 恩，谢谢交流 2011-05-27 23:40:01
zhang668(金币+1): 多谢交流 2011-05-28 18:17:53
貌似有不少人用剪刀算符直接剪调整带隙至实验值，不过这样必须得先知道实验值。还有个方法是用DTF+U来计算这种DFT+U只取决于U-J，J的大小影响不大相同的元素在不同结构下U值是不一样的，通过改变U值来时计算值和实验值吻合。具体的我也不懂
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3楼2011-05-27 19:07:59
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valenhou001

版主

优秀！！有木有！！！优秀！！有木有！！！优秀！！有木有！！！优秀！！有木有！！！
★ ★
tider(金币+1):谢谢参与
tider(金币+1): 2011-05-27 23:50:01
zhang668(金币+1): 多谢交流 2011-05-28 18:18:02
引用回帖:
Originally posted by tider at 2011-05-26 09:37:27:
ＤＦＴ计算带隙都会由于低估ｄ轨道的能量而使带隙偏低，我看到文献中有很多减少这个误差的方法。比如
１，用计算值求出某掺杂浓度的ｂ值，然后代入实验数据得到该浓度的带隙。
２，用一些改进算法，ＧＧＡ＋ＳＱ ...

SQS的这个东东只是帮你找出某掺杂浓度下更合适的结构而已，并不是对电子结构进行任何的改进。
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4楼2011-05-27 19:54:18
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