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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 陶瓷材料 » 薄膜退火问题
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qgmeng2005

金虫 (小有名气)

[求助] 薄膜退火问题

RT，我采用磁控溅射陶瓷靶材制备薄膜，薄膜厚度在几个微米左右，但是900-1000℃退火之后只有500nm左右，而且薄膜平整，XRD测试也没有衍射峰形成晶型。请问可能是什么原因呢
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1楼 2011-05-13 17:02:25
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mse507

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
Originally posted by qgmeng2005 at 2011-05-13 17:02:25:
RT，我采用磁控溅射陶瓷靶材制备薄膜，薄膜厚度在几个微米左右，但是900-1000℃退火之后只有500nm左右，而且薄膜平整，XRD测试也没有衍射峰形成晶型。请问可能是什么原因呢

你至少的说说你做的什么薄膜吧,别人也好帮你分析下.
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2楼2011-05-13 19:28:18
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qgmeng2005

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by mse507 at 2011-05-13 19:28:18:
你至少的说说你做的什么薄膜吧,别人也好帮你分析下.

不好意思，我做的是CuAlO2薄膜~
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3楼2011-05-14 10:32:08
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mse507

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
enquan123(金币+1): 鼓励交流，欢迎常来论坛交流~ 2011-05-15 13:22:18
引用回帖:
Originally posted by qgmeng2005 at 2011-05-14 10:32:08:
不好意思，我做的是CuAlO2薄膜~

这玩儿意难做，控制气氛（氧分压）是关键。另外温度不用那么高。
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4楼2011-05-15 13:19:25
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黄瓜一样冰凉

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
huangzx1314(金币+1): 鼓励交流~~~ 2011-05-15 15:00:56
qgmeng2005(金币+6): 2011-08-18 11:11:09
再做一次，用低的温度试一试吧。另外考虑一下你用的是基片在这种温度下的稳定性。
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5楼2011-05-15 14:12:14
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qgmeng2005

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by mse507 at 2011-05-15 13:19:25:
这玩儿意难做，控制气氛（氧分压）是关键。另外温度不用那么高。

很赞同你的观点，确实很难做。我也是试着降低退火，但是降低之后薄膜表面形成颗粒的结晶，打能谱之后发现Cu元素含量很高，不知为什么
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6楼2011-05-15 21:35:37
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Tommy8726

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
huangzx1314(金币+1): 鼓励交流，要是能简单介绍一下各个参数对其影响就更好了~~ 2011-05-23 23:52:56
我也是用RF磁控溅射……嗯，这个东西，主要控制溅射功率，工作压，氧分压，温度……挺麻烦，多试试改变一些参数吧
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7楼2011-05-23 23:48:43
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qgmeng2005

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by Tommy8726 at 2011-05-23 23:48:43:
我也是用RF磁控溅射……嗯，这个东西，主要控制溅射功率，工作压，氧分压，温度……挺麻烦，多试试改变一些参数吧

工作压力越大还是越小溅射效率越高啊，谢谢啦
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8楼2011-05-25 08:59:33
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Tommy8726

银虫 (小有名气)
★
Missile521(金币+1): 鼓励回帖交流互助！ 2011-05-25 17:41:24
不是很确定，只是控制气压，似乎气压和成分比有关
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9楼2011-05-25 17:29:00
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yirake2007

铜虫 (小有名气)
我想知道搂住用什么设备退火，怎么保证样品不被氧化啊？在线等答案。
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10楼2011-05-26 20:25:35
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