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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 陶瓷材料 » 薄膜退火问题
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qgmeng2005

金虫 (小有名气)

[求助] 薄膜退火问题

RT，我采用磁控溅射陶瓷靶材制备薄膜，薄膜厚度在几个微米左右，但是900-1000℃退火之后只有500nm左右，而且薄膜平整，XRD测试也没有衍射峰形成晶型。请问可能是什么原因呢
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1楼 2011-05-13 17:02:25
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qgmeng2005

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by mse507 at 2011-05-15 13:19:25:
这玩儿意难做，控制气氛（氧分压）是关键。另外温度不用那么高。

很赞同你的观点，确实很难做。我也是试着降低退火，但是降低之后薄膜表面形成颗粒的结晶，打能谱之后发现Cu元素含量很高，不知为什么
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6楼2011-05-15 21:35:37
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mse507

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
Originally posted by qgmeng2005 at 2011-05-13 17:02:25:
RT，我采用磁控溅射陶瓷靶材制备薄膜，薄膜厚度在几个微米左右，但是900-1000℃退火之后只有500nm左右，而且薄膜平整，XRD测试也没有衍射峰形成晶型。请问可能是什么原因呢

你至少的说说你做的什么薄膜吧,别人也好帮你分析下.
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2楼2011-05-13 19:28:18
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qgmeng2005

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by mse507 at 2011-05-13 19:28:18:
你至少的说说你做的什么薄膜吧,别人也好帮你分析下.

不好意思，我做的是CuAlO2薄膜~
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3楼2011-05-14 10:32:08
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mse507

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
enquan123(金币+1): 鼓励交流，欢迎常来论坛交流~ 2011-05-15 13:22:18
引用回帖:
Originally posted by qgmeng2005 at 2011-05-14 10:32:08:
不好意思，我做的是CuAlO2薄膜~

这玩儿意难做，控制气氛（氧分压）是关键。另外温度不用那么高。
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4楼2011-05-15 13:19:25
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