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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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qgmeng2005

兑换贵宾

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[求助] 薄膜退火问题

RT,我采用磁控溅射陶瓷靶材制备薄膜,薄膜厚度在几个微米左右,但是900-1000℃退火之后只有500nm左右,而且薄膜平整,XRD测试也没有衍射峰形成晶型。请问可能是什么原因呢
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mse507

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【答案】应助回帖

引用回帖:
Originally posted by qgmeng2005 at 2011-05-13 17:02:25:
RT,我采用磁控溅射陶瓷靶材制备薄膜,薄膜厚度在几个微米左右,但是900-1000℃退火之后只有500nm左右,而且薄膜平整,XRD测试也没有衍射峰形成晶型。请问可能是什么原因呢

你至少的说说你做的什么薄膜吧,别人也好帮你分析下.
2楼2011-05-13 19:28:18
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qgmeng2005

专家顾问

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引用回帖:
Originally posted by mse507 at 2011-05-13 19:28:18:
你至少的说说你做的什么薄膜吧,别人也好帮你分析下.

不好意思,我做的是CuAlO2薄膜~
3楼2011-05-14 10:32:08
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mse507

专家顾问

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【答案】应助回帖


enquan123(金币+1): 鼓励交流,欢迎常来论坛交流~ 2011-05-15 13:22:18
引用回帖:
Originally posted by qgmeng2005 at 2011-05-14 10:32:08:
不好意思,我做的是CuAlO2薄膜~

这玩儿意难做,控制气氛(氧分压)是关键。另外温度不用那么高。
4楼2011-05-15 13:19:25
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黄瓜一样冰凉

专家顾问

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【答案】应助回帖


huangzx1314(金币+1): 鼓励交流~~~ 2011-05-15 15:00:56
qgmeng2005(金币+6): 2011-08-18 11:11:09
再做一次,用低的温度试一试吧。另外考虑一下你用的是基片在这种温度下的稳定性。
5楼2011-05-15 14:12:14
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qgmeng2005

管理员

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引用回帖:
Originally posted by mse507 at 2011-05-15 13:19:25:
这玩儿意难做,控制气氛(氧分压)是关键。另外温度不用那么高。

很赞同你的观点,确实很难做。我也是试着降低退火,但是降低之后薄膜表面形成颗粒的结晶,打能谱之后发现Cu元素含量很高,不知为什么
6楼2011-05-15 21:35:37
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Tommy8726

兑换贵宾

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【答案】应助回帖


huangzx1314(金币+1): 鼓励交流,要是能简单介绍一下各个参数对其影响就更好了~~ 2011-05-23 23:52:56
我也是用RF磁控溅射……嗯,这个东西,主要控制溅射功率,工作压,氧分压,温度……挺麻烦,多试试改变一些参数吧
7楼2011-05-23 23:48:43
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qgmeng2005

专家顾问

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引用回帖:
Originally posted by Tommy8726 at 2011-05-23 23:48:43:
我也是用RF磁控溅射……嗯,这个东西,主要控制溅射功率,工作压,氧分压,温度……挺麻烦,多试试改变一些参数吧

工作压力越大还是越小溅射效率越高啊,谢谢啦
8楼2011-05-25 08:59:33
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Tommy8726

管理员

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Missile521(金币+1): 鼓励回帖交流互助! 2011-05-25 17:41:24
不是很确定,只是控制气压,似乎气压和成分比有关
9楼2011-05-25 17:29:00
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yirake2007

超级版主

优秀!!有木有!!!优秀!!有木有!!!优秀!!有木有!!!优秀!!有木有!!!

我想知道搂住用什么设备退火,怎么保证样品不被氧化啊?在线等答案。
10楼2011-05-26 20:25:35
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