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qgmeng2005

金虫 (小有名气)

[求助] 薄膜退火问题

RT,我采用磁控溅射陶瓷靶材制备薄膜,薄膜厚度在几个微米左右,但是900-1000℃退火之后只有500nm左右,而且薄膜平整,XRD测试也没有衍射峰形成晶型。请问可能是什么原因呢
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qgmeng2005

金虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by mse507 at 2011-05-13 19:28:18:
你至少的说说你做的什么薄膜吧,别人也好帮你分析下.

不好意思,我做的是CuAlO2薄膜~
3楼2011-05-14 10:32:08
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qgmeng2005

金虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by mse507 at 2011-05-15 13:19:25:
这玩儿意难做,控制气氛(氧分压)是关键。另外温度不用那么高。

很赞同你的观点,确实很难做。我也是试着降低退火,但是降低之后薄膜表面形成颗粒的结晶,打能谱之后发现Cu元素含量很高,不知为什么
6楼2011-05-15 21:35:37
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qgmeng2005

金虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by Tommy8726 at 2011-05-23 23:48:43:
我也是用RF磁控溅射……嗯,这个东西,主要控制溅射功率,工作压,氧分压,温度……挺麻烦,多试试改变一些参数吧

工作压力越大还是越小溅射效率越高啊,谢谢啦
8楼2011-05-25 08:59:33
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qgmeng2005

金虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by yirake2007 at 2011-05-26 20:25:35:
我想知道搂住用什么设备退火,怎么保证样品不被氧化啊?在线等答案。

管式退火炉,通N2退火就可以了
11楼2011-05-27 09:05:15
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