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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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guyudan

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】禁带宽度

相对于本征ZnO，AI掺杂的n一ZnO禁带宽度会增加，这是由于Burstein一Moss
移动而引起的:而受主掺杂的p型zno，包括p一ZnO:N和p一ZnON，Al)，其禁带
宽度通常会降低，这可能是由于受主能带与价带的简并而引起的。
我的疑问是：n型和p型的禁带宽度分别指哪部分之间的距离，如果是导带底到价带顶，应该两个都是禁带宽度降低啊，这里的禁带宽度是光学禁带宽度吧？是不是n型的光学禁带宽度是价带顶到费米能级（进入导带）的距离，p型的光学禁带宽度是费米能级（进入价带）到导带底的距离，但这样的话，两个禁带宽度又都增加了，请高手指正我的错误，哪里错了呢？谢谢
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1楼 2010-11-29 09:46:46
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guyudan

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by 夕阳西下 at 2010-11-30 14:06:27:
光学带隙指的是光子被约束的范围，半导体中的禁带宽度指的是电子被约束的范围。

可以直接回答我开始的问题吗？这里的禁带宽度到底指的什么？怎么从能带图中得到的？
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16楼2010-11-30 15:46:44
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bashen1

至尊木虫 (小有名气)
★
zzy870720z(金币+1):鼓励交流 2010-11-29 12:05:01
应该就是导带价带之差，与费米能级无关，可能是计算本身问题，可以参考一下文献
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2楼2010-11-29 11:12:30
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guyudan

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by bashen1 at 2010-11-29 11:12:30:
应该就是导带价带之差，与费米能级无关，可能是计算本身问题，可以参考一下文献

光学带隙应该和导带底与价带顶的距离还是有差别的
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3楼2010-11-29 12:32:10
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bashen1

至尊木虫 (小有名气)
★
mazuju028(金币+1):谢谢交流 2010-11-29 18:18:13
光学帯隙的概念是从实验结果出发的，当然如果禁带中靠近导带或价带的能级态密度足够大的话可以看做带尾，这样实验结果的谱图在边界处就会变平缓
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4楼2010-11-29 12:35:42
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