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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 新能源材料 » 掺杂导致禁带宽度改变的根本原因是什么？
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新虫 (小有名气)

[交流] 掺杂导致禁带宽度改变的根本原因是什么？ 已有5人参与

各位大侠，假设半导体（1）的禁带宽度是1eV, 半导体（2）的禁带宽度是2eV，那么，当这两个半导体掺杂在一起的时候，是不是他们的禁带宽度就在1—2之间呢？如果是的话，根本原因是什么呢？
例如铜铟硒的禁带宽度是1.04ev，掺入氯化铝之后会形成铜铝硒（禁带宽度为2.7ev），则混合后的禁带宽度就会增加，但不会超过2.7.
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1楼 2013-09-10 21:04:17
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jiestone

铁虫 (初入文坛)
★
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我也是做半导体掺杂改性的  我所了解的掺杂是由于半导体的禁带宽度变小或者形成了新的掺杂能级。
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珍惜每一天
2楼2013-09-10 21:47:24
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shaoyin45

禁虫 (著名写手)
本帖内容被屏蔽
3楼2013-09-12 21:56:34
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sheng-hao

铜虫 (初入文坛)
★
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两种不同的半导体，带隙不同，晶格常数相同，形成异质结，他们的带宽是否介于两种介质之间我也很想知道
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机会要自己创造
4楼2013-09-12 22:02:43
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zhuzhen

木虫 (正式写手)
★
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首先搞清什么是掺杂，什么是固溶体（合金）。他们的带隙变化原理是不一致的。对于你说的，典型例子SiGe合金，带隙是随组分变化的。合金有个vegard定律是说明晶格常数变化的，可扩展成带隙变化，你可以搜一搜具体解释。
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5楼2013-09-13 14:46:14
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李淼Reeves

新虫 (初入文坛)
★
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每种材料禁带宽度不同，掺杂之后可能会有杂质能级形成，可能就会改变了复合机制，反正最后就表现出禁带宽度变化了
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雷厉风行
6楼2014-06-01 14:23:02
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