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【求助】禁带宽度
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guyudan
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【求助】禁带宽度
相对于本征ZnO,AI掺杂的n一ZnO禁带宽度会增加,这是由于Burstein一Moss
移动而引起的:而受主掺杂的p型zno,包括p一ZnO:N和p一ZnO
N,Al),其禁带
宽度通常会降低,这可能是由于受主能带与价带的简并而引起的。
我的疑问是:n型和p型的禁带宽度分别指哪部分之间的距离,如果是导带底到价带顶,应该两个都是禁带宽度降低啊,这里的禁带宽度是光学禁带宽度吧?是不是n型的光学禁带宽度是价带顶到费米能级(进入导带)的距离,p型的光学禁带宽度是费米能级(进入价带)到导带底的距离,但这样的话,两个禁带宽度又都增加了,请高手指正我的错误,哪里错了呢?谢谢
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【求助】禁带宽度问题
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2010-11-29 09:46:46
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bashen1
at 2010-11-29 11:12:30:
应该就是导带价带之差,与费米能级无关,可能是计算本身问题,可以参考一下文献
光学带隙应该和导带底与价带顶的距离还是有差别的
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3楼
2010-11-29 12:32:10
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bashen1
at 2010-11-29 12:35:42:
光学帯隙的概念是从实验结果出发的,当然如果禁带中靠近导带或价带的能级态密度足够大的话可以看做带尾,这样实验结果的谱图在边界处就会变平缓
我用的是castep计算,不做实验
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7楼
2010-11-29 17:24:19
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guolianshun
at 2010-11-29 14:51:41:
带隙值,直接带隙或者间接带隙。
那光学带隙呢?我描述的文献中的禁带宽度是指什么?我计算体系的是直接带隙的
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8楼
2010-11-29 17:33:08
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阚敏
at 2010-11-29 12:37:52:
嘿嘿,敬请赐教有何区别?
就是我描述的那样的区别啊,也是别人说的,不知道是否正确
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9楼
2010-11-29 17:36:37
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阚敏
at 2010-11-29 18:00:14:
嗯,我在文献中也有看到光学带隙一词。我的理解是:带隙宽度接近可见光光子能量。也不知道理解对不对。
计算出来的能带图中看不出来吗?
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11楼
2010-11-29 18:06:24
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bashen1
at 2010-11-30 11:23:16:
准确的说是找最小光子能量,但一般的阈值概念要比这个稍大些,所以说这种定义本身就有一定误差
我想知道从castep计算后分析的能带图中能看出光学带隙吗?只能看见导带底和价带顶及费米能级,可是文献如我描述的那样,却说禁带变宽变窄,看的是哪里啊?
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15楼
2010-11-30 15:44:51
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夕阳西下
at 2010-11-30 14:06:27:
光学带隙指的是光子被约束的范围,半导体中的禁带宽度指的是电子被约束的范围。
可以直接回答我开始的问题吗?这里的禁带宽度到底指的什么?怎么从能带图中得到的?
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16楼
2010-11-30 15:46:44
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bashen1
at 2010-11-30 15:51:30:
你可以计算光谱,然后按照文献的方法处理谱图就可以对比了
那文献的禁带宽度是哪里?是光学带隙吗?
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18楼
2010-11-30 15:58:42
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bashen1
at 2010-11-30 16:05:27:
各种都有啊,找你想要的就好了
我的意思是我最开始的问题中的那段文献描述指的是什么,最开始,呵呵
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20楼
2010-11-30 16:18:58
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bashen1
at 2010-11-30 16:24:55:
如果是理论计算的文章那就是导带底价带顶之差了,如果是实验文章可能会包含光谱,对光谱的处理方法有好多种,出来的帯隙也有差别
可是计算后导带底和价带顶的距离不论是p或n型,禁带宽度都变小了,和文献所说也不相符啊
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2010-11-30 17:25:56
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