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[交流]
si的禁带宽度是1.1eV，为什么很少人拿这个来做光催化剂？
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| Si的禁带宽度只有1.1eV，这样的话，入=1240/1.1=约1127nm，这么说，太阳光的利用率很高了啊。我知道半导体的硅要求很高，但是现在的工艺条件已经可以工业化生产了啊，最高可以达到14N，这说明技术上已经不是问题了。我知道太阳能电池里面，单晶硅是最好的了，但 是，为什么不能用硅来做光催化降解，深感疑惑，所以在这里和大家交流一下，大家知道的可以讲讲^^ |
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crykro: 金币+5 2013-02-28 13:58:15
pzypdl: 金币+2, 谢谢回帖交流！ 2013-02-28 13:58:20
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pzypdl: 金币+2, 谢谢回帖交流！ 2013-02-28 13:58:20
| Si的禁带宽度1.1eV？是指带隙Eg吧？光催化剂活性取决于有效载流子(电子空穴对)的密度，除了跟半导体导带--价带位置有关外，还跟半导体类型有关。Eg小光电转换效率和有效载流子密度未必高。虽然Eg小，理论上吸收光子多、产生的电子空穴对多，但Si是间接带隙半导体，即电子本证激发从价带跃迁到导带，不仅需要改变能量，还要改变动量，需要声子参与，而声子对激子跃迁起关键性作用。当然Si中既有间接带隙又有直接带隙，只是直接带隙相对间接带隙的能量更高，而直接带隙产生的电子空穴对容易复合。综合来说，仅仅看带隙宽窄是无法判断光电转换效率高低和光催化剂活性好坏的。 |
13楼2013-02-28 13:34:40
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10楼2012-11-24 22:21:31
3楼2012-11-23 14:29:09
4楼2012-11-23 15:09:56
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crykro: 金币+2, S8的这个我知道，刘岗博士在Jacs上发的 2012-11-23 18:33:50
cxqtitan: 金币+1, 谢谢回帖 2012-11-23 18:56:38
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crykro: 金币+2, S8的这个我知道，刘岗博士在Jacs上发的 2012-11-23 18:33:50
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现在Si，P，S三单质都已经用来做可见光催化了，现在有人现研究碘！传统的金属氧化物，硫化物以及多元组分的催化剂目前都基本上已经被挖掘光了，但是追求新的光催化剂的热度不减，开始转向寻找单质组分作为光催化剂了，金以及银为代表的等离子光催化剂是典型金属单质催化剂的代表！下面这个S的。好的催化剂要有一定的吸附性能，电子空穴转移能力，催化剂的稳定性等原因非金属单质做催化有很多操作上的难点。 http://muchong.com/bbs/attachment.php?tid=4574672&aid=11803 |
5楼2012-11-23 15:26:35
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crykro: 金币+1 2012-11-23 18:34:49
cxqtitan: 金币+1, 谢谢回帖 2012-11-23 18:56:47
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6楼2012-11-23 18:17:04
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