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梁舟舟

木虫 (小有名气)

[求助] 氢氟酸刻蚀硅片 已有2人参与

求助各位大神,最近在做氢氟酸刻蚀硅片形成硅纳米阵列,不论将硅片浸泡在刻蚀液里多久都不能形成纳米线,请各位大神指教。现将具体方法写在下面
1 丙酮 乙醇和去离子水超声清洗硅片
2 浸泡在浓硫酸和过氧化氢3:1 的溶液中30min,去离子水清洗
3 浸泡在5%的HF溶液中30min
4 硅片取出浸泡在10%的HF溶液中,该溶液中加AgNO3(0.025M) 浸泡不同时间进行刻蚀
5 浸泡在10%的HF中超声清洗,然后水洗
所有的过程都是在室温下进行的,希望各位大神指点!!!
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天道酬勤
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涂涂涂涂

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
梁舟舟: 金币+22, ★★★★★最佳答案, 谢谢我好好看一下 2017-03-24 20:33:27
梁舟舟: 金币+22, 我下载不了这篇专利 麻烦你发我一下好么?1804044884@qq.com 2017-03-27 08:45:08
第一:参考下这篇专利《丁士进, 朱宝. 一种制备高密度硅纳米孔阵列的方法:, CN 102290332 A[P]. 2011.》,应该对你有帮助
第二:你改变下条件,加热一下,温度50℃,HF5mol/L,AgNO3 0.02mol/L 二者体积比1:4,生长1h,应该能得到不错的硅纳米阵列的。
天道酬勤
2楼2017-03-22 11:29:17
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zqxfcg

金虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 涂涂涂涂 at 2017-03-22 11:29:17
第一:参考下这篇专利《丁士进, 朱宝. 一种制备高密度硅纳米孔阵列的方法:, CN 102290332 A. 2011.》,应该对你有帮助
第二:你改变下条件,加热一下,温度50℃,HF5mol/L,AgNO3 0.02mol/L 二者体积比1:4,生长1h ...

请问用氢氟酸刻蚀二氧化硅片的条件是怎样的?
静水流深
3楼2017-04-02 21:08:09
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zwyzhwy

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

没看到用氧化剂啊,大多数刻蚀都是有加双氧水的,双氧水氧化硅形成二氧化硅,然后银附着其上,HF优先刻蚀被贵金属附着下面的硅氧化层,形成硅纳米线阵列。没被金属附着的硅表面刻蚀速度非常非常慢,几乎没有吧。清华大学朱静院士组里之前有做硅纳米线的,其他这方面文章也很多,好好查一查。
4楼2017-04-04 00:31:53
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2073266459

铁虫 (初入文坛)

内容已删除
5楼2020-12-09 16:07:05
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