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想应用光刻和湿法刻蚀 作出有规则排列的纳米线,高手进!
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实验室条件有限,所以只能用湿法刻蚀实现单晶硅纳米线, 初步:无序纳米线,是将洗好的硅片放到(一定浓度的)硝酸银和氢氟酸溶液里,硅片表面沉积一层Ag粒子,然后将样品放入到一定浓度的氢氟酸和双氧水溶液中,水浴50°2个小时,然后硝酸溶解Ag粒子,HF去除氧化物,SEM扫描看到排列密密麻麻的线体。 其次,对硅片进行光刻处理,处理前先在硅片表面热氧化一层二氧化硅,光刻完硅片表面形成一层直径5微米的圆孔(二氧化硅掩膜)圆孔是暴露的硅,其余是二氧化硅覆盖。 然后想应用初步操作湿法刻蚀出有序的纳米线,但是(失败了)(原因,氢氟酸将二氧化硅掩膜破坏掉) 最后,想问一下高手,我想用光刻加湿法刻蚀作出规则性排列的纳米线,能实现吗,现在准备买负性光刻胶,(硅片先热氧化)准备光刻完将样品放到TMAH溶液或者HF:HNO3:醋酸溶液中进行湿法刻蚀,这样做可行吗?在线等 |
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