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想应用光刻和湿法刻蚀 作出有规则排列的纳米线，高手进！
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实验室条件有限，所以只能用湿法刻蚀实现单晶硅纳米线， 初步：无序纳米线，是将洗好的硅片放到（一定浓度的）硝酸银和氢氟酸溶液里，硅片表面沉积一层Ag粒子，然后将样品放入到一定浓度的氢氟酸和双氧水溶液中，水浴50°2个小时，然后硝酸溶解Ag粒子，HF去除氧化物，SEM扫描看到排列密密麻麻的线体。 其次，对硅片进行光刻处理，处理前先在硅片表面热氧化一层二氧化硅，光刻完硅片表面形成一层直径5微米的圆孔（二氧化硅掩膜）圆孔是暴露的硅，其余是二氧化硅覆盖。 然后想应用初步操作湿法刻蚀出有序的纳米线，但是（失败了）（原因，氢氟酸将二氧化硅掩膜破坏掉） 最后，想问一下高手，我想用光刻加湿法刻蚀作出规则性排列的纳米线，能实现吗，现在准备买负性光刻胶，（硅片先热氧化）准备光刻完将样品放到TMAH溶液或者HF：HNO3:醋酸溶液中进行湿法刻蚀，这样做可行吗？在线等 |
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